Планарный универсальный транзистор, группа А
2Т630А9 — кремниевый планарный транзистор структуры n-p-n, универсальный. Соседняя группа — 2Т630Б9, где разобрана граничная частота и её зависимость от режима.
Планарная технология без эпитаксии — примета своего времени
Планарность означает, что все переходы выходят на поверхность под защитным окислом, а операции идут групповым способом по всей пластине. Это дало массовость и повторяемость.
Но без эпитаксиального слоя коллектором служит вся подложка, и её удельное сопротивление приходится выбирать компромиссом: низкое — плохо держит напряжение, высокое — греется и даёт большое напряжение насыщения.
Отсюда характерная примета чисто планарных приборов: приличные усилительные параметры при посредственном насыщении. В ключевом режиме они проигрывают эпитаксиально-планарным заметно.
Как это влияет на выбор при ремонте
Если планарный универсальный прибор стоит в усилительном каскаде, заменить его эпитаксиально-планарным можно смело — будет не хуже.
⚠️ Обратная замена в ключевом каскаде опаснее: напряжение насыщения может оказаться вдвое больше, и ключ, работавший холодным, начнёт греться. Особенно это заметно при токах в сотни миллиампер и выше.
Проверяется просто — измерить напряжение на открытом ключе при рабочем токе. Если больше полувольта, прибор в этом месте не на своём месте.
Описание и применение
Транзисторы 2Т630А9 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей. Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т630А9 |
| Корпус | 4601.3-1 |
Внешний вид
Все исполнения серии: КТ630