Транзисторы П309 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения.
П309 — кремниевый планарный n-p-n переключательного назначения, тот же кристалл в том же корпусе, что П307 и П308. По предельным режимам он неотличим от П308: 120 В по переходу коллектор-база и по цепи коллектор-эмиттер при сопротивлении эмиттер-база до 10 кОм, постоянный ток коллектора 30 мА, импульсный 120 мА, напряжение эмиттер-база 3 В. Разница между ними ровно одна — коэффициент передачи тока, и здесь он взят из нижней группы: от 16 до 50 при Uкб = 20 В и токе эмиттера 10 мА. Буквенных исполнений нет.
Что означает низкая вилка усиления
Для ключевой схемы малое усиление означает лишь более плотную раскачку базы: ток базы берут с запасом относительно расчётного, иначе прибор не дойдёт до насыщения и рассеет лишнее тепло. Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер нормировано величиной не более 130 Ом при комнатной температуре и 240 Ом при +125 °C; режим измерения — 15 мА коллектора при 3 мА базы. Входное сопротивление при напряжении коллектор-база 20 В и токе эмиттера 10 мА — не более 70 Ом. Граничная частота коэффициента передачи тока стартует от 20 МГц при токе эмиттера 4 мА.
Мощность, утечки, тепловой режим
Рассеиваемая мощность задана лестницей: 250 мВт, пока среда не теплее +20 °C, затем 150, 100 и 87,5 мВт в точках 100, 120 и 125 °C. Обратный ток коллектора не превышает 3 мкА при предельном напряжении. В цепи коллектор-эмиттер, если сопротивление эмиттер-база не выше 10 кОм, допустимо 20 мкА в комнате и 200 мкА при +125 °C; обратный ток эмиттера при 3 В — не более 5 и 15 мкА. Предельная температура перехода 150 °C, общее тепловое сопротивление меняется с 800 на 400 °C/Вт при переходе среды через отметку в сто градусов, масса прибора не более 2 г.
Пометки справочника
Статья издания 1985 года описывает П307, П307В, П308 и П309 вместе, поскольку различия сведены к трём графам таблицы: предельному напряжению, усилению и постоянному току коллектора. А вот П307А, П307Б и П307Г в эту статью не вошли: их числа справочник 1985 года не приводит вовсе, и брать их приходится из табличных изданий. Монтажное ограничение общее для всей группы: пайка выводов допускается не ближе пяти миллиметров от корпуса — планарный кристалл в металлостеклянном корпусе плохо переносит перегрев вывода у самого спая.
Паспортные параметры П309
Uкб макс и Uкэ макс при Rэб ≤ 10 кОм (постоянные), В
120
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
3
Iк макс (постоянный ток коллектора), мА
30
Iк,и макс (импульсный ток коллектора) при tи ≤ 1 мкс и скважности Q ≥ 10, мА
120
Pк макс при температуре среды ≤ 20 °C, мВт
250
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб, равном максимальному, не более, мкА
3
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 20 В, Iэ = 4 мА, не менее, МГц
20
Тп макс (максимальная температура перехода), °C
150
Общее тепловое сопротивление при температуре среды ≤ 100 °C, °C/Вт
800
Общее тепловое сопротивление при температуре среды выше 100 °C, °C/Вт
400
Масса транзистора, не более, г
2
h21э (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, схема ОЭ) при Uкб = 20 В, Iэ = 10 мА, —
16…50
Pк макс при температуре среды 100 °C, мВт
150
Pк макс при температуре среды 120 °C, мВт
100
Pк макс при температуре среды 125 °C, мВт
87,5
Rвх (входное сопротивление) при Uкб = 20 В, Iэ = 10 мА, не более, Ом
70
Rкэ нас (сопротивление насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 15 мА, Iб = 3 мА и +25 °C, не более, Ом
130
Rкэ нас (сопротивление насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 15 мА, Iб = 3 мА и +125 °C, не более, Ом
240
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Uкэ, равном максимальному, Rэб ≤ 10 кОм и +25 °C, не более, мкА
20
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Uкэ, равном максимальному, Rэб ≤ 10 кОм и +125 °C, не более, мкА
200
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +25 °C, не более, мкА
5
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +125 °C, не более, мкА
15
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Бессарабов. Диоды, тиристоры, транзисторы широкого применения, 1994 г., табл. 3.1.2 (текстовый слой книги)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.61 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 293 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 373 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; режим tи ≤ 1 мкс, Q ≥ 10 прочитан отдельным увеличением)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 — 30 мА для группы П307, П307В, П308, П309 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 — там для П307 и П309 указано 20—60 (глазами; см. «спорное»)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 0,4 К/мВт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 0,8 К/мВт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 393 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 423 К)
Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
Транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 879), 1975 г., строка 555
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.68—71 (глазами)
