Транзисторы П308 кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения.
П308 отличается от П307 прежде всего предельным напряжением: 120 В вместо восьмидесяти, то есть в полтора раза больше, — как между коллектором и базой, так и в цепи коллектор-эмиттер, если сопротивление эмиттер-база не превышает 10 кОм. Это кремниевый планарный прибор с n-p-n структурой, маломощный, ключевого назначения — для коммутирующих каскадов и преобразователей постоянного напряжения. Буквенных исполнений у него нет. Постоянный ток коллектора 30 мА, импульсный 120 мА при длительности импульса до 1 мкс и скважности от десяти, напряжение эмиттер-база 3 В.
Усиление среднее, насыщение обычное
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала — от 30 до 90 при напряжении коллектор-база 20 В и токе эмиттера 10 мА. Это середина между скромной группой 16...50 и сильной 50...150, которые встречаются у соседних обозначений того же кристалла. Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер, снятое при 15 мА в коллекторе и 3 мА в базе, не выходит за 130 Ом в комнате и за 240 Ом при +125 °C. Входное сопротивление при Uкб = 20 В и Iэ = 10 мА — не более 70 Ом.
Мощность и токи утечки
Допустимая мощность рассеяния зависит от температуры среды и задана четырьмя точками: 250 мВт в холоде, 150 мВт на сотне градусов, 100 мВт при 120 °C и 87,5 мВт у самой границы 125 °C. Обратный ток коллектора при напряжении, равном предельному, не более 3 мкА. По цепи коллектор-эмиттер с сопротивлением эмиттер-база не выше 10 кОм разрешено 20 мкА в комнате и 200 мкА при +125 °C, по эмиттерному переходу при 3 В — 5 и 15 мкА. Общее тепловое сопротивление справочник даёт двумя числами: 800 °C/Вт, пока среда холоднее 100 °C, и 400 °C/Вт за этой чертой; предельная температура перехода 150 °C.
По предельным режимам этот прибор полностью совпадает с П309 — те же 120 В, тот же ток, та же мощность; расходятся они единственной графой, коэффициентом передачи тока, который у П309 лежит ниже. Кристалл и корпус у всей четвёрки обозначений общие, так что подбор замены сводится к сверке трёх чисел: напряжения, усиления и постоянного тока коллектора. Граничная частота коэффициента передачи тока — от 20 МГц при двадцати вольтах на коллекторном переходе и токе эмиттера 4 мА, масса не более 2 г, паять ближе пяти миллиметров к корпусу нельзя.
Паспортные параметры П308
Uкб макс и Uкэ макс при Rэб ≤ 10 кОм (постоянные), В
120
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
3
Iк макс (постоянный ток коллектора), мА
30
Iк,и макс (импульсный ток коллектора) при tи ≤ 1 мкс и скважности Q ≥ 10, мА
120
Pк макс при температуре среды ≤ 20 °C, мВт
250
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб, равном максимальному, не более, мкА
3
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 20 В, Iэ = 4 мА, не менее, МГц
20
Тп макс (максимальная температура перехода), °C
150
Общее тепловое сопротивление при температуре среды ≤ 100 °C, °C/Вт
800
Общее тепловое сопротивление при температуре среды выше 100 °C, °C/Вт
400
Масса транзистора, не более, г
2
h21э (коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, схема ОЭ) при Uкб = 20 В, Iэ = 10 мА, —
30…90
Pк макс при температуре среды 100 °C, мВт
150
Pк макс при температуре среды 120 °C, мВт
100
Pк макс при температуре среды 125 °C, мВт
87,5
Rвх (входное сопротивление) при Uкб = 20 В, Iэ = 10 мА, не более, Ом
70
Rкэ нас (сопротивление насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 15 мА, Iб = 3 мА и +25 °C, не более, Ом
130
Rкэ нас (сопротивление насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 15 мА, Iб = 3 мА и +125 °C, не более, Ом
240
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Uкэ, равном максимальному, Rэб ≤ 10 кОм и +25 °C, не более, мкА
20
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Uкэ, равном максимальному, Rэб ≤ 10 кОм и +125 °C, не более, мкА
200
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +25 °C, не более, мкА
5
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +125 °C, не более, мкА
15
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Бессарабов. Диоды, тиристоры, транзисторы широкого применения, 1994 г., табл. 3.1.2 (текстовый слой книги)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.61 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 293 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 373 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 (глазами; режим tи ≤ 1 мкс, Q ≥ 10 прочитан отдельным увеличением)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.62 — 30 мА для группы П307, П307В, П308, П309 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 0,4 К/мВт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 0,8 К/мВт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 393 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.63 (глазами; 423 К)
Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
Транзисторы (Массовая радиобиблиотека, вып. 879), 1975 г., строка 554
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.68—71 (глазами)
