2Т827А — транзистор

Описание и применение

Транзисторы 2Т827А кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. Используются для работы в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Технические характеристики

Обозначение	2Т827А
Зарубежный аналог	2SD729H

Составной транзистор с усилением до восемнадцати тысяч

2Т827А — кремниевый меза-эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор, составной: внутри корпуса два транзистора в схеме Дарлингтона. Отсюда главное его число — статический коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 А составляет от 750 до 18 000, типовое значение 6000.

Разброс в двадцать четыре раза — не небрежность справочника, а свойство составной схемы: коэффициенты двух транзисторов перемножаются, и разброс каждого перемножается тоже. Рассчитывать схему на конкретное значение усиления здесь нельзя ни в каком виде — только на нижнюю границу.

Чем платят за составную схему

Первое — напряжение насыщения. У обычного мощного транзистора оно составляет десятые доли вольта, у 2Т827А при токе 10 А это 1…2 В (типовое 1,45), а при 20 А — 1,8…3 В (типовое 2,4). Двадцать ампер при двух с половиной вольтах — это почти пятьдесят ватт тепла на корпусе, и вся конструкция узла определяется этой цифрой.

Второе — скорость. Время включения 0,3…1 мкс, а выключения — 3…6 мкс, из них рассасывание 2…4,5 мкс. Задний фронт на порядок длиннее переднего, потому что накопленный заряд приходится выводить через внутреннюю цепь составной пары. В ключевых схемах с частотой выше нескольких килогерц это становится главным ограничением.

Третье — база открывается не на 0,7 В, а на 2,6…4 В (напряжение насыщения база–эмиттер при 20 А), потому что переходов последовательно два. Схему управления надо считать под это напряжение.

Где он на месте

Граничное напряжение 100…140 В (типовое 110) при токе коллектора 100 мА; у исполнений Б и В оно ниже — 80…100 и 60…80 В. Корпус металлостеклянный с жёсткими выводами, масса не более 20 г.

Справочник называет назначение прямо: усилители низкой частоты, импульсные усилители мощности, стабилизаторы тока и напряжения, повторители, переключатели, электронные системы управления, схемы автоматики и защиты. Общее у всех этих применений одно — нужен большой ток при ничтожном токе управления, и именно это составной транзистор даёт лучше всего.

Паспортные параметры 2Т827А

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rбэ = 1 кОм) и коллектор-база, В	100
Статический коэффициент передачи тока при Uкэ = 3 В, Iк = 10 А и +25 °C	750…18 000
Статический коэффициент передачи тока при Uкэ = 3 В и Iк = 20 А	100…3500
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, В	100…140
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, В	1…2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 А, Iб = 200 мА, В	1,8…3
Входное напряжение база-эмиттер при Iк = 10 А, Uкэ = 3 В, В	1,6…2,8
Время включения при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс	0,3…1
Время выключения при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс	3…6
Время рассасывания при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс	2…4,5
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 3 В, Iк = 10 А, f = 10 МГц, не менее	0,4
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, пФ	200…400
Ёмкость эмиттерного перехода при Uбэ = 5 В, пФ	160…350
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ = 1 кОм и +25 °C, не более, мА	3
Обратный ток эмиттера при Uбэ = 5 В, не более, мА	2
Предельное постоянное напряжение база-эмиттер, В	5
Предельный постоянный ток коллектора, А	20
Предельный постоянный ток базы, А	0,5
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при температуре корпуса от −60 до +25 °C, Вт	125
Тепловое сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 12,5 А, °C/Вт	1,4
Температура перехода, не более, °C	+200
Температура окружающей среды, °C	−60…+125
Масса транзистора, не более, г	20

Чем 2Т827А отличается от других исполнений

Параметр	А	Б	В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rбэ = 1 кОм) и коллектор-база, В	100	80	60
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, В	100…140	80…100	60…80

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 505-506

Внешний вид

Все исполнения серии: КТ827