Описание и применение
Транзисторы МП114 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в импульсных схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и других радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Технические характеристики
Самый высоковольтный из тройки
МП114 выпускался вместе с МП115 и МП116 — это кремниевые сплавные транзисторы структуры p-n-p в металлическом герметичном корпусе со стеклянными изоляторами, массой не более 1,7 г. Справочник описывает всю тройку одним разделом, и различаются они тремя параметрами, которые меняются согласованно.
У МП114 наибольшее в тройке напряжение: пробивное напряжение коллекторного перехода не менее 70 В, допустимое напряжение коллектор–база и коллектор–эмиттер 60 В до +70 °C. У МП115 те же величины 40 и 30 В, у МП116 — 20 и 15 В.
За напряжение заплачено усилением
Обратная сторона видна сразу: коэффициент усиления тока базы у МП114 нормирован только снизу — не менее 9, и верхней границы у него нет. У МП115 записан диапазон 9…45, у МП116 — 15…100. Предельная частота усиления тока у МП114 составляет 0,1 МГц против 0,5 МГц у МП116.
Сто килогерц предельной частоты — это очень мало даже по меркам своего времени. МП114 не усилительный прибор общего назначения, а транзистор для низкочастотных цепей с повышенным напряжением: ключи, схемы управления, каскады с высоковольтной нагрузкой.
Тепловые ограничения общие для тройки
Мощность на коллекторе — 150 мВт при +70 °C и всего 60 мВт при +100 °C. Ток коллектора 10 мА в режиме усиления и 50 мА в импульсном. Обратный ток коллектора не более 10 мкА при +20 °C, но при +100 °C он вырастает до 400 мкА — в сорок раз. Диапазон рабочих температур −55…+100 °C.
Паспортные параметры МП114
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
- Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985
- Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976
Внешний вид