Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
П605
Быстрый из двух исполнений
П605 — германиевый конверсионный транзистор структуры p-n-p, универсальный мощный, пригодный для усилительных, генераторных и импульсных каскадов вплоть до 30 МГц. Из двух исполнений именно он быстрее в ключевом режиме: время включения при напряжении питания 20 В, токе коллектора 0,5 А и частоте 1...10 кГц лежит в пределах 0,06...0,3 мкс при типовом значении 0,1 мкс, а время рассасывания — в пределах 0,4...3,0 мкс при типовом 1,0 мкс. Оба параметра нормированы при токе базы 60 мА. У П605А те же времена заданы одной верхней границей и они больше, но и ток базы там вдвое меньше.
Усиление и напряжения открытого прибора
Статический коэффициент передачи тока при напряжении коллектор-эмиттер 3 В, токе коллектора 0,5 А и частоте 0,1...10 кГц лежит между 20 и 60, типовое значение 35. На морозе -60 °C разброс расходится вдвое шире: от 14 до 84. Это самая скромная пара цифр в серии, буквенное исполнение усиливает заметно сильнее. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 0,5 А и токе базы 60 мА составляет от 0,4 до 2,0 В при типовом 0,7 В, напряжение насыщения база-эмиттер — от 0,3 до 1,2 В при типовом 0,5 В. Граничное напряжение коллектор-эмиттер при токе эмиттера 0,3 А — от 35 до 55 В, типовое 45 В.
Предельные режимы и обязательный теплоотвод
Напряжение коллектор-база — 45 В в интервале от -60 до +20 °C и 40 В при +70 °C. Столько же допускается по цепи коллектор-эмиттер при поданном напряжении база-эмиттер; при сопротивлении в базе до 100 Ом норма 40 В, а на горячем приборе при сопротивлении до 10 Ом остаётся 20 В. Напряжение эмиттер-база 1,0 В. Токи: 0,5 А постоянно по коллектору, 1,5 А в импульсе до 10 мс при скважности более двух, 0,5 А импульсно по базе. Паспортные 3,0 Вт достижимы только с теплоотводом, обеспечивающим тепловое сопротивление корпус-среда не более 5 °C/Вт; при +70 °C с ним остаётся 0,75 Вт, а без теплоотвода прибор берёт лишь 0,5 Вт и 0,3 Вт соответственно. Тепловое сопротивление переход-корпус 15 °C/Вт, переход-среда 50 °C/Вт.
Германий: узкий температурный коридор
Предельная температура перехода — всего 85 °C, рабочий диапазон среды от -60 до +70 °C. Это принципиальное ограничение материала, а не конструкции: выше германиевый переход теряет запирающие свойства. Обратные токи растут соответственно — норма при +70 °C вчетверо выше комнатной по коллектору и вдвое по эмиттеру. Ёмкость коллекторного перехода при 20 В и 5 МГц лежит между 50 и 130 пФ при типовом значении 70 пФ, ёмкость эмиттерного перехода не превышает 2000 пФ, постоянная времени цепи обратной связи — от 40 до 500 пс при типовом 80 пс. Граничная частота коэффициента передачи 30 МГц. Масса — не более 11 г в сборке с жёсткими выводами и 12 г с гибкими.
Паспортные параметры П605
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при −60…+20 °C, В
45
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база) при +70 °C, В
40
Uкэ макс при поданном напряжении база-эмиттер, −60…+20 °C, В
45
Uкэ макс при поданном напряжении база-эмиттер, +70 °C, В
40
Uкэ макс при Rбэ ≤ 100 Ом, −60…+20 °C, В
40
Uкэ макс при Rбэ ≤ 10 Ом, +70 °C, В
20
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
1,0
Uкэ гр (граничное напряжение) при Iэ = 0,3 А, f = 1…10 кГц, tи = 5 мкс, В
35…55 (типовое 45)
Iк макс (постоянный ток коллектора), А
0,5
Iк,и макс (импульсный ток коллектора) при tи ≤ 10 мс и скважности Q > 2, А
1,5
Iб,и макс (импульсный ток базы) при tи ≤ 10 мс и скважности Q > 2, А
0,5
Pк макс с теплоотводом (Rт корпус-среда ≤ 5 °C/Вт) при −60…+20 °C, Вт
3,0
Pк макс с теплоотводом при +70 °C, Вт
0,75
Pк макс без теплоотвода при −60…+60 °C, Вт
0,5
Pк макс без теплоотвода при +70 °C, Вт
0,3
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкэ = 3 В, Iк = 0,5 А, f = 0,1…10 кГц и +20 °C, —
20…60 (типовое 35)
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкэ = 3 В, Iк = 0,5 А и −60 °C, —
14…84
Uкэ нас (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 0,5 А (для П605 при Iб = 60 мА, для П605А при Iб = 30 мА), В
0,4…2,0 (типовое 0,7)
Uбэ нас (напряжение насыщения база-эмиттер) при Iк = 0,5 А (для П605 при Iб = 60 мА, для П605А при Iб = 30 мА), В
0,3…1,2 (типовое 0,5)
tвкл (время включения) при Ек = 20 В, Iк = 0,5 А, f = 1…10 кГц, мкс
0,06…0,3 при Iб = 60 мА (типовое 0,1)
tрас (время рассасывания) при Ек = 20 В, Iк = 0,5 А, f = 1…10 кГц, мкс
0,4…3,0 при Iб = 60 мА (типовое 1,0)
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 45 В и +20 °C, не более, мА
2
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 40 В и +70 °C, не более, мА
8
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при сопротивлении в цепи базы 100 Ом и Uкэ = 40 В, не более, мА
3
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 1,0 В и +20 °C, не более, мА
1
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 1,0 В и +70 °C, не более, мА
2
Cк (ёмкость коллекторного перехода) при Uкб = 20 В, f = 5 МГц, пФ
50…130 (типовое 70)
Cэ (ёмкость эмиттерного перехода) при Uэб = 0,5 В, f = 5 МГц, не более, пФ
2000
τк (постоянная времени цепи обратной связи) при Ек = 20 В, Iэ = 50 мА, f = 5 МГц, пс
40…500 (типовое 80)
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока), МГц
30
Rт п-к (тепловое сопротивление переход-корпус), °C/Вт
15
Rт п-с (тепловое сопротивление переход-среда), °C/Вт
50
Тп макс (максимальная температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60 … +70
Масса транзистора, не более, г
11 (жёсткие выводы, вариант 2); 12 (гибкие выводы, вариант 1)
Чем П605 отличается от других исполнений
Параметр
П605
А
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкэ = 3 В, Iк = 0,5 А, f = 0,1…10 кГц и +20 °C, —
20…60 (типовое 35)
50…120 (типовое 75)
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкэ = 3 В, Iк = 0,5 А и −60 °C, —
14…84
25…168
tвкл (время включения) при Ек = 20 В, Iк = 0,5 А, f = 1…10 кГц, мкс
0,06…0,3 при Iб = 60 мА (типовое 0,1)
не более 0,35 при Iб = 30 мА
tрас (время рассасывания) при Ек = 20 В, Iк = 0,5 А, f = 1…10 кГц, мкс
0,4…3,0 при Iб = 60 мА (типовое 1,0)
не более 4,0 при Iб = 30 мА
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.643 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.643 — рабочий диапазон группы заявлен «до 30 МГц» (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.644 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.644 (глазами; 213 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.644 (глазами; 293 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.645 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.645 (глазами; 213…293 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.645 (глазами; 213…293 К, с оговоркой про Rт к-с ≤ 5 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.645 (глазами; 213…333 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.645 (глазами; 343 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.646 (глазами; 15 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.646 (глазами; 343 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.646 (глазами; 358 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.646 (глазами; 50 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.646 (глазами; от 213 до 343 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.169 (глазами, независимая перепроверка)
Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.169—171 (глазами, независимая перепроверка)
Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.88 (глазами)
