Описание и применение
Транзисторы МП116 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в импульсных схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и других радиотехнических и электронных устройствах общего назначения.
Технические характеристики
Зеркальная противоположность МП114
МП116 — кремниевый сплавной p-n-p транзистор, выпускавшийся в одной группе с МП114 и МП115: тот же металлический герметичный корпус, та же масса не более 1,7 г, тот же раздел справочника. Но по параметрам эти два прибора стоят на разных концах группы.
У МП116 наибольшее в тройке усиление — коэффициент передачи тока базы 15…100 против «не менее 9» у МП114, — и наибольшая предельная частота, 0,5 МГц против 0,1 МГц. Зато напряжение у него наименьшее: пробивное коллекторного перехода не менее 20 В, допустимое коллектор–база и коллектор–эмиттер 15 В до +70 °C и 10 В выше этой температуры.
Пятнадцать вольт — это мало
Допустимое напряжение стоит держать в голове при любой замене. Пятнадцать вольт означают, что МП116 нельзя ставить в цепь с питанием даже двенадцать вольт, если в ней есть индуктивная нагрузка: выброс самоиндукции при отпирании ключа легко превышает питание вдвое.
Обратный ток коллектора у МП116 нормирован при напряжении на коллекторе 10 В — против тридцати у МП114, — и это ещё одно напоминание, что режимы измерения у приборов группы разные, а числа в графе «не более 10 мкА» выглядят одинаково.
Что общее у группы
Мощность на коллекторе 150 мВт при +70 °C и 60 мВт при +100 °C, ток коллектора 10 мА в усилительном и 50 мА в импульсном режиме, напряжение эмиттер–база 10 В, входное сопротивление в схеме с общей базой около 300 Ом, рабочий диапазон температур −55…+100 °C — всё это у МП114, МП115 и МП116 записано одинаково.
Паспортные параметры МП116
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
- Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985
- Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976
Внешний вид