Транзисторы П702 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Используются в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
П702
Зарубежный аналог
2N1701
Сильная половина пары
П702 — кремниевый мезапланарный транзистор структуры n-p-n, мощный низкочастотный, для выходных каскадов усилителей, переключающих ступеней, преобразователей и стабилизаторов постоянного напряжения. Из двух исполнений это более усилительное: коэффициент передачи тока при напряжении коллектор-база 10 В и токе эмиттера 1,1 А нормирован величиной не менее 25 во всём интервале температур корпуса от +25 до +120 °C и не менее 10 при -60 °C. У П702А в тех же точках стоят 10 и 5: в горячем интервале это в два с половиной раза меньше, на морозе — ровно вдвое. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А и токе базы 0,2 А не превышает 2,5 В — тоже лучшее значение в паре.
Расплата — обратные токи
Выигрыш в усилении и насыщении оплачен утечкой, и разница здесь двукратная. Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 70 В нормирован величиной не более 5,0 мА как при +25 °C, так и при -60 °C, и не более 10 мА при температуре корпуса 125 °C. Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 100 Ом и том же напряжении — не более 10 мА в холодной и комнатной точках и не более 15 мА на горячем приборе. У буквенного исполнения все четыре границы ровно вдвое меньше. Для стабилизатора с высоким выходным сопротивлением делителя это существенно.
Предельные режимы и мощность
Напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база — 60 В при температуре перехода до 120 °C и 30 В при 150 °C, напряжение эмиттер-база 3,0 В. Постоянный ток коллектора 2,0 А, ток базы 0,5 А. С теплоотводом при температуре корпуса до 50 °C прибор рассеивает 40 Вт, при 125 °C — 10 Вт; без теплоотвода 4 Вт при среде до 20 °C и 0,75 Вт при 125 °C. Тепловое сопротивление переход-корпус всего 2,5 °C/Вт, переход-среда 33 °C/Вт, предельная температура перехода 150 °C. Справочник даёт и формулы промежуточного пересчёта: при температуре корпуса выше 323 К мощность с теплоотводом равна разности 423 и Тк, делённой на тепловое сопротивление переход-корпус, а начиная с 293 К без теплоотвода — разности 423 и температуры среды, делённой на сопротивление переход-среда.
Частота, вход, корпус
Граничная частота коэффициента передачи тока 4 МГц, модуль коэффициента передачи на 1 МГц не менее 4,0 — для мощного низкочастотного прибора это приличный запас, позволяющий строить преобразователи на десятки килогерц. Входное напряжение при напряжении коллектор-эмиттер 10 В и токе коллектора 1 А не превышает 4,0 В. Корпус металлостеклянный с жёсткими выводами, масса транзистора не более 24 г, с крепёжным фланцем не более 34 г. Предельные режимы у обоих исполнений совпадают полностью, различия сведены к трём графам: усилению, насыщению и утечке.
Паспортные параметры П702
Uкэ макс и Uкб макс (постоянные) при температуре перехода до 120 °C, В
60
Uкэ макс и Uкб макс (постоянные) при температуре перехода 150 °C, В
30
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
3,0
Iк макс (постоянный ток коллектора), А
2,0
Iб макс (постоянный ток базы), А
0,5
Pк макс с теплоотводом при температуре корпуса ≤ 50 °C, Вт
40
Pк макс с теплоотводом при температуре корпуса 125 °C, Вт
10
Pк макс без теплоотвода при температуре среды ≤ 20 °C, Вт
4
Pк макс без теплоотвода при температуре среды 125 °C, Вт
0,75
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и температуре корпуса от +25 до +120 °C, не менее, —
25
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и −60 °C, не менее, —
10
|h21| (модуль коэффициента передачи тока) при f = 1 МГц, не менее, —
4,0
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока), МГц
4
Uвх (входное напряжение) при Uкэ = 10 В и Iк = 1 А, не более, В
4,0
Uкэ нас (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 1 А, Iб = 0,2 А, не более, В
2,5
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
5,0
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
10
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
10
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
15
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +25 °C, не более, мА
5
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
15
Rт п-к (тепловое сопротивление переход-корпус), °C/Вт
2,5
Rт п-с (тепловое сопротивление переход-среда), °C/Вт
33
Тп макс (максимальная температура перехода), °C
150
Масса транзистора, не более, г
24 (с крепёжным фланцем 34)
Чем П702 отличается от других исполнений
Параметр
П702
А
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и температуре корпуса от +25 до +120 °C, не менее, —
25
10
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и −60 °C, не менее, —
10
5
Uкэ нас (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 1 А, Iб = 0,2 А, не более, В
2,5
4,0
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
5,0
2,5
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
10
5,0
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
10
5,0
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
15
7,5
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами, строка перечитана отдельным увеличением)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами; 213 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами; 298 К и 213 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами; там режим прямо указан как Тк = 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459—460 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459—460 (глазами; Тк = 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; 2,5 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; 33 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; 423 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Т = 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Т ≤ 293 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тк = 398 К; согласуется с напечатанной там же формулой (423 − Тк)/Rт п-к)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тк ≤ 323 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тп = 423 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тп ≤ 393 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.28 (глазами, независимая перепроверка)
Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.28—29 (глазами, независимая перепроверка)
Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — (2,5) (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — 4 Вт при температуре среды 20 °C (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — 5 и 2,5 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — [40] Вт при температуре корпуса 50 °C (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102, строки 951—952 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.101 и с.102 — (25) и (10) при тех же Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.101 и с.102 — (4) (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.101 и с.102 — 2,5 и 4 при Iк = 1 А (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.128 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.128 — 40 Вт при Тк = 50 °C (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.128 — {60} в графе Uкэ и 60 в графе Uкб0 max (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.129 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.129 — 25 и 10 при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.129 — 5 и 2,5 (глазами)
Даташит зарубежного аналога — 2N1701 (ATMEL)
Собственный паспорт на П702 в нашей библиотеке отсутствует. Ниже — фирменный даташит прибора, указанного в справочнике как зарубежный аналог: назначение, функция и цоколёвка у него те же.
⚠️ Это документ на другой прибор. Предельные режимы, температурный диапазон и нормы приёмки у зарубежного коммерческого исполнения отличаются от наших — сверяйте их по таблице параметров на этой странице, а не по даташиту.
Скачать даташит 2N1701 (PDF, 69 КБ) ↓
