Транзисторы П702А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Используются в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Главное, чем П702А отличается от безбуквенного прибора, — обратные токи. При напряжении коллектор-база 70 В обратный ток коллектора не превышает 2,5 мА и при +25 °C, и при -60 °C, а на горячем корпусе 125 °C — 5,0 мА. По цепи коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 100 Ом нормировано не более 5,0 мА в холодной и комнатной точках и 7,5 мА при 125 °C. Все четыре числа ровно вдвое ниже, чем у П702. Прибор кремниевый мезапланарный, структуры n-p-n, мощный низкочастотный.
Что отдано взамен
Усиление здесь заметно скромнее: коэффициент передачи тока, снятый при 10 В между коллектором и базой и токе эмиттера 1,1 А, гарантирован не менее 10 в интервале температур корпуса от +25 до +120 °C и не менее 5 при -60 °C, то есть в два с половиной раза ниже безбуквенного прибора в тёплом интервале и ровно вдвое ниже на морозе. Хуже и открытое состояние — напряжение насыщения коллектор-эмиттер, измеренное при 1 А в коллекторе и 0,2 А в базе, доходит до 4,0 В против 2,5 В у безбуквенного исполнения. При рабочем токе в целый ампер это полтора лишних вольта на переходе, и в ключевом каскаде тепло от них приходится отводить радиатором.
Предельные режимы совпадают полностью
Ни одна граница допустимого режима буквой не меняется. Напряжение коллектор-эмиттер и коллектор-база остаётся 60 В, пока переход не горячее 120 °C, и падает до 30 В при 150 °C; напряжение эмиттер-база 3,0 В, постоянный ток коллектора 2,0 А, ток базы 0,5 А. Рассеиваемая мощность: 40 Вт с теплоотводом при корпусе до 50 °C, 10 Вт при 125 °C, 4 Вт без теплоотвода, пока среда не теплее 20 °C, и 0,75 Вт на 125 °C. Тепловые сопротивления — 2,5 °C/Вт от перехода к корпусу и 33 °C/Вт от перехода к среде, предельная температура перехода 150 °C. Масса не более 24 г, с крепёжным фланцем не более 34 г.
Когда выбирать именно это исполнение
Разница между исполнениями сводится к выбору между усилением и утечкой. Там, где транзистор долго стоит закрытым на высоком напряжении и его ток покоя определяет собственное потребление узла — в стабилизаторах, в схемах с высокоомными делителями, в аппаратуре с батарейным питанием, — вдвое меньшая утечка важнее более высокого коэффициента передачи. Там, где прибор работает ключом на полном токе, выгоднее безбуквенное исполнение с его меньшим напряжением насыщения. Граничная частота, модуль коэффициента передачи на 1 МГц и входное напряжение у обоих одинаковы: 4 МГц, не менее 4,0 и не более 4,0 В соответственно.
Паспортные параметры П702А
Uкэ макс и Uкб макс (постоянные) при температуре перехода до 120 °C, В
60
Uкэ макс и Uкб макс (постоянные) при температуре перехода 150 °C, В
30
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
3,0
Iк макс (постоянный ток коллектора), А
2,0
Iб макс (постоянный ток базы), А
0,5
Pк макс с теплоотводом при температуре корпуса ≤ 50 °C, Вт
40
Pк макс с теплоотводом при температуре корпуса 125 °C, Вт
10
Pк макс без теплоотвода при температуре среды ≤ 20 °C, Вт
4
Pк макс без теплоотвода при температуре среды 125 °C, Вт
0,75
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и температуре корпуса от +25 до +120 °C, не менее, —
10
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и −60 °C, не менее, —
5
|h21| (модуль коэффициента передачи тока) при f = 1 МГц, не менее, —
4,0
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока), МГц
4
Uвх (входное напряжение) при Uкэ = 10 В и Iк = 1 А, не более, В
4,0
Uкэ нас (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 1 А, Iб = 0,2 А, не более, В
4,0
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
2,5
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
5,0
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
5,0
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
7,5
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и +25 °C, не более, мА
5
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 3 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
15
Rт п-к (тепловое сопротивление переход-корпус), °C/Вт
2,5
Rт п-с (тепловое сопротивление переход-среда), °C/Вт
33
Тп макс (максимальная температура перехода), °C
150
Масса транзистора, не более, г
24 (с крепёжным фланцем 34)
Чем П702А отличается от других исполнений
Параметр
П702
А
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и температуре корпуса от +25 до +120 °C, не менее, —
25
10
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А и −60 °C, не менее, —
10
5
Uкэ нас (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 1 А, Iб = 0,2 А, не более, В
2,5
4,0
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
5,0
2,5
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
10
5,0
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В, при +25 °C и при −60 °C, не более, мА
10
5,0
Iкэr (обратный ток коллектор-эмиттер) при Rбэ = 100 Ом, Uкэ = 70 В и температуре корпуса 125 °C, не более, мА
15
7,5
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами, строка перечитана отдельным увеличением)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами; 213 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами; 298 К и 213 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459 (глазами; там режим прямо указан как Тк = 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459—460 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.459—460 (глазами; Тк = 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; 2,5 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; 33 К/Вт)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; 423 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Т = 398 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Т ≤ 293 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тк = 398 К; согласуется с напечатанной там же формулой (423 − Тк)/Rт п-к)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тк ≤ 323 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тп = 423 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.460 (глазами; Тп ≤ 393 К)
Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.28 (глазами, независимая перепроверка)
Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.28—29 (глазами, независимая перепроверка)
Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — (2,5) (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — 4 Вт при температуре среды 20 °C (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — 5 и 2,5 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102 — [40] Вт при температуре корпуса 50 °C (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.100 и с.102, строки 951—952 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.101 и с.102 — (25) и (10) при тех же Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.101 и с.102 — (4) (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.101 и с.102 — 2,5 и 4 при Iк = 1 А (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.128 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.128 — 40 Вт при Тк = 50 °C (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.128 — {60} в графе Uкэ и 60 в графе Uкб0 max (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.129 (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.129 — 25 и 10 при Uкб = 10 В, Iэ = 1,1 А (глазами)
Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.129 — 5 и 2,5 (глазами)
