Ток базы

CERGEI1982 · 14.07.2007, 07:53

Как узнать ток базы транзистора(хочу подобрать для микроконтролера транзистор для управления нагрузкой,зная что макс ток 20 милиампер) ? В справочных данных нет тока базы,есть только коэффициент усиления и ток колектора,если только ток колектора поделить на коэфициент усиления,но хватит ли транзистору войти в насыщение? но если он максимальный знать по любому йудет в насещени и может сгореть

sanitar249 · 14.07.2007, 11:16

Сообщение от CERGEI1982

Как узнать ток базы транзистора(хочу подобрать для микроконтролера транзистор для управления нагрузкой,зная что макс ток 20 милиампер) ? В справочных данных нет тока базы,есть только коэффициент усиления и ток колектора,если только ток колектора поделить на коэфициент усиления,но хватит ли транзистору войти в насыщение? но если он максимальный знать по любому йудет в насещени и может сгореть

Учитывая, Ваш пост в теме "Как заменить регулировку потенциометром на регулировку ШИМом" (схема подключения к МК ключевого транзистора). В цепи базы должен ВСЕГДА стоять токоограничительный резистор. Тока 5-10 мА в цепи Б-Э с лихвой хватит для перевода транзистора средней( и большинства большой)мощности в режим насыщения. Режим насыщения, это режим когда эммитер инжектирует в коллекторную цепь максимально возможное к-во неосновных зарядов.

ALEX__A · 14.07.2007, 11:20

Сообщение от CERGEI1982

Как узнать ток базы транзистора(хочу подобрать для микроконтролера транзистор для управления нагрузкой,зная что макс ток 20 милиампер) ? В справочных данных нет тока базы,есть только коэффициент усиления и ток колектора,если только ток колектора поделить на коэфициент усиления,но хватит ли транзистору войти в насыщение? но если он максимальный знать по любому йудет в насещени и может сгореть

Если схема включения транзистора с общим эмиттером, то ток базы, приводящий к насыщению транзистора, может быть расчитан следующим образом. I б.н.= Iк.н./бетта = (Uпит.ключа - U кэ. нас.) / (бетта*Rк). Если резистор базы подключен к колекторному источнику, а так часто и бывает, то сопротивление базового резистора выбирается из соотношения Rб = (Uпит.ключа - U бэ.нас.)/I б.н.

где: Rк - сопротивление цепи коллектора; U кэ(бэ) нас. - напряжение насыщения перехода КЭ(бэ), для приблизительных расчетов данные величины могут быть приравнены нулю.

Сопротивление базового резистора д.б. несколько меньше полученного при расчётах.

С уважением, Алексей.

CERGEI1982 · 14.07.2007, 12:05

Спасибо за ответы,но для пущей убедительности соберу отдельно управления на транзисторе подам 5 в через ограничительный резистор на транзистор и померю ток,чтоб надолго запомнить

sanitar249 · 14.07.2007, 12:27

И еще... нужно учитывать скорость нарастания(спада) этого тока. При неоправданно затянутых фронтах(спадах)-сильно увеличиваються динамические потери в ключевом элементе(грееться).
Удачи!

sanitar249 · 14.07.2007, 12:34

Сообщение от CERGEI1982

Спасибо за ответы,но для пущей убедительности соберу отдельно управления на транзисторе подам 5 в через ограничительный резистор на транзистор и померю ток,чтоб надолго запомнить

УВАЖАЮ! Действительно, пока сам ручками не потрогаешь, многих "тонкостей" не поймёшь!!!

EVGENIY1962 · 14.07.2007, 12:37

Сообщение от ALEX__A

Сообщение от CERGEI1982

Как узнать ток базы транзистора(хочу подобрать для микроконтролера транзистор для управления нагрузкой,зная что макс ток 20 милиампер) ? В справочных данных нет тока базы,есть только коэффициент усиления и ток колектора,если только ток колектора поделить на коэфициент усиления,но хватит ли транзистору войти в насыщение? но если он максимальный знать по любому йудет в насещени и может сгореть

Если схема включения транзистора с общим эмиттером, то ток базы, приводящий к насыщению транзистора, может быть расчитан следующим образом. I б.н.= Iк.н./бетта = (Uпит.ключа - U кэ. нас.) / (бетта*Rк). Если резистор базы подключен к колекторному источнику, а так часто и бывает, то сопротивление базового резистора выбирается из соотношения Rб = (Uпит.ключа - U бэ.нас.)/I б.н.

где: Rк - сопротивление цепи коллектора; U кэ(бэ) нас. - напряжение насыщения перехода КЭ(бэ), для приблизительных расчетов данные величины могут быть приравнены нулю.

Сопротивление базового резистора д.б. несколько меньше полученного при расчётах.

С уважением, Алексей.

Если транзистор работает в ключевом режиме то при васчете необходимо использовать бетта*0,05для режима большого сигнала).Исключение состовляют ключевые транзисторы,но в любом случае желательно взглянуть на график зависимости коэф усиления от тока коллектора.

sanitar249 · 14.07.2007, 14:07

Сообщение от ALEX__A

Если схема включения транзистора с общим эмиттером, то ток базы, приводящий к насыщению транзистора, может быть расчитан следующим образом. I б.н.= Iк.н./бетта = (Uпит.ключа - U кэ. нас.) / (бетта*Rк). Если резистор базы подключен к колекторному источнику, а так часто и бывает, то сопротивление базового резистора выбирается из соотношения Rб = (Uпит.ключа - U бэ.нас.)/I б.н.

где: Rк - сопротивление цепи коллектора; U кэ(бэ) нас. - напряжение насыщения перехода КЭ(бэ), для приблизительных расчетов данные величины могут быть приравнены нулю.

Сопротивление базового резистора д.б. несколько меньше полученного при расчётах.

С уважением, Алексей.

Совершенно согласен, но лучше это принять за минимальный ток насыщения, потом добавить %10-20 для гарантии( на общий КПД это повлияет незначительно, а душа будет спокойна, что транзистор не уйдет в линейный режим). В любом случае этот ток не должен превышать "паспортного" значения I(б-э).И учитывайте нагрузочную способность источника этого тока.

CERGEI1982 · 14.07.2007, 15:57

Попробовал на КТ817 ,в базу поставил резистор 4.7 кОМ,померил ток при подаче на базу 5 в всего около 1 мА.

EVGENIY1962 · 14.07.2007, 16:51

Зачем вы это делали,ведь это и так ясно (5-0.6):4700.
Этот эксперимент вам ничего не даст.В базу всегда будет затекать 1мА.Все будет зависеть от Ку транзистора и тока коллектора.Кстати транзистор вы выбрали так себе,его выходом контроллера на что-нибудь путнее не раскачать.Мах 20-30мА.Если надо большой ток используйте составные транзисторы или полевики с управлением лог уровнем.