Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


ЛФО-602 (LFO-602) — мощный лазерный диод


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

ЛФО-602 (LFO-602) — одномодовый лазерный диод непрерывного излучения с выходной оптической мощностью 20 мВт в спектральном диапазоне 1,47÷1,49 мкм (длина волны 1480±20 нм). Изготовлен на основе гетероструктуры InGaAsP/InP в корпусе типа SOT-148 со встроенным фотодиодом обратной связи.

Прибор имеет широкий диапазон рабочих температур, высокую стабильность мощности излучения и ресурс работы более 10⁵ часов. Предназначен для источников излучения систем EDFA, медицинской техники, систем оптической синхронизации и метрологических приборов.

Корпус SOT-148 (Ø9 мм) имеет три вывода: КОНТ.1 — катод лазера, КОНТ.2 — анод лазера / катод фотодиода (корпус), КОНТ.3 — анод фотодиода. Выходное окно с просветляющим (AR) покрытием с обеих сторон, толщина 0,25±0,05 мм; расстояние до лазерного диода 1,0 мм (ном.).

Технические характеристики

Длина волны излучения (макс.)1480±20 нм
Выходная оптическая мощность (тип.)20 мВт
Длина волны излучения λ (мин…тип…макс)1470 / 1480 / 1490 нм
Пороговый ток I_th (тип./макс.)30 / 35 мА
Рабочий ток I_f (макс.)120 мА
Рабочее напряжение (тип./макс.)1,5 / 2,0 В
Расходимость излучения Θ∥ × Θ⊥ (макс.)10 × 45 град
Ширина спектра излучения Δλ (тип./макс.)4 / 6 нм
Модовая структураSM (одномодовая)
Управляющий фототок I_PD фотодиода (мин.)20 мкА
Чувствительность S фотодиода (тип.)0,2 мкА/мВт
Обратное напряжение фотодиода U_PD (тип.)5,0±0,5 В
Диапазон рабочих температур T_op0 … +40 °C
Диапазон температур хранения T_st−40 … +70 °C
Температура пайки контактов T_s200 °C
Время пайки контактов t_s3,0 сек
Мощность излучения P_OP max (лазер)25 мВт
Рабочий ток I_f max (лазер)145 мА
Напряжение смещения U_REV max (фотодиод)9,0 В
Допустимый ток I_PD max (фотодиод)1,0 мА
Внешняя квантовая эффективностьне менее 30 %
Температурный дрейф длины волныне более 5 A/°C
Температурный дрейф порогового токане более 3,0 %/°C
Точность позиционирования кристалла± 100 мкм
КорпусSOT-148, Ø9 мм

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Оптоэлектроника879
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Оптоэлектроника»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»