Описание и применение
LFO-404 — одномодовые лазерные диоды с мощностью непрерывного излучения 40 мВт в спектральном диапазоне 1,27÷1,33 мкм (длина волны 1300±30 нм), изготовленные на основе гетероструктур InGaAsP/InP. Выпускаются в стандартном корпусе SOT-148 (Ø 9 мм) со встроенным фотодиодом обратной связи.
Приборы имеют широкий диапазон рабочих температур, высокую стабильность мощности излучения и ресурс работы более 10⁵ часов. LFO-404 являются оптимальными источниками излучения для применения в аппаратуре ВОЛС, медицинской технике, системах оптической синхронизации и метрологических приборах.
Электрическая схема соединений: конт.1 — катод лазера, конт.2 — анод лазера и катод фотодиода, конт.3 — анод фотодиода. Оптическое окно с двухсторонним AR-покрытием (толщина 0,25±0,05), расстояние до лазерного диода 1,0 мм (ном.).
Технические характеристики
| Выходная оптическая мощность излучения (P_ор), тип. | 40 мВт |
| Длина волны излучения (λ) | 1270…1300…1330 нм |
| Размеры области излучения (W×H) | 5,0×1 мкм |
| Пороговый ток (I_th), макс. | 55 мА |
| Рабочий ток (I_r), макс. | 210 мА |
| Рабочее напряжение (U_r) | 1,5…2,0 В |
| Расходимость излучения (Θ‖×Θ⊥), макс. | 10×45 град |
| Ширина спектра излучения (Δλ) | 6…8 нм |
| Модовая структура | SM (одномодовая) |
| Управляющий фототок фотодиода ОС (I_PD) | 20 мкА (мин.) |
| Чувствительность фотодиода (S) | 0,2 мкА/мкВт (мин.) |
| Обратное напряжение фотодиода (U_PD) | 5,0±0,5 В (тип.) |
| Диапазон рабочих температур (T_ое) | 0…+40 °C |
| Диапазон температур хранения (T_st) | −40…+70 °C |
| Температура пайки контактов (T_s) | 200 °C |
| Время пайки контактов (t_s), макс. | 3,0 сек |
| Мощность излучения (P_ор макс), пред.-доп. | 50 мВт |
| Рабочий ток (I_r макс), пред.-доп. | 230 мА |
| Обратное напряжение фотодиода (U_REV макс), пред.-доп. | 9,0 В |
| Ток фотодиода (I_PD макс), пред.-доп. | 1,0 мА |
| Внешняя квантовая эффективность | не менее 30 % |
| Температурный дрейф длины волны | не более 5 Å/°C |
| Температурный дрейф порогового тока | не более 3,0 %/°C |
| Точность позиционирования лазерного кристалла | ±100 мкм |
| Ресурс работы | более 10⁵ часов |
| Основа гетероструктуры | InGaAsP/InP |
| Корпус | SOT-148 (Ø 9 мм) |
Техническая документация
