Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


LFO-601 — мощный лазерный диод (1480 нм, 10 мВт)


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

LFO-601 — одномодовый полупроводниковый лазерный диод с мощностью непрерывного излучения 10 мВт в спектральном диапазоне 1,47÷1,49 мкм, изготовленный на основе гетероструктуры InGaAsP/InP. Производитель — ФТИ-Оптроник (Санкт-Петербург).

Прибор выпускается в стандартном корпусе SOT-148 (Ø9 мм) со встроенным фотодиодом обратной связи для контроля и стабилизации выходной оптической мощности. Выходное окно имеет просветляющее (AR) покрытие с обеих сторон толщиной 0,25±0,05.

Назначение — источник излучения для систем EDFA, медицинской техники, систем оптической синхронизации и метрологических приборов. Наработка более 10⁵ часов. Трёхвыводная схема: конт.1 — катод лазера, конт.2 — анод лазера и катод фотодиода, конт.3 — анод фотодиода.

Технические характеристики

Выходная оптическая мощность, POP (тип.)10 мВт
Размеры области излучения, W×H (тип.)5,0 × 1 мкм
Длина волны излучения, λ (мин./тип./макс.)1470 / 1480 / 1490 нм
Пороговый ток, Ith (макс.)35 мА
Рабочий ток, Iop (макс.)60 мА
Рабочее напряжение, Uop (тип./макс.)1,5 / 2,0 В
Расходимость излучения, Θ‖×Θ⊥ (макс.)10 × 45 град
Ширина спектра излучения, Δλ (тип./макс.)3 / 5 нм
Модовая структураSM (одномодовая)
Ток управляющего фототока, IPD (мин.)20 мкА
Чувствительность фотодиода, S (тип.)0,2 мкА/мкВт
Обратное напряжение фотодиода, UPD (макс.)5,0 В
Диапазон рабочих температур, Top0 … +40 °C
Температура хранения, Tst−40 … +70 °C
Температура пайки контактов, Ts (макс.)200 °C
Время пайки, ts (макс.)3,0 сек
Макс. мощность излучения, POP max35 мВт
Макс. рабочий ток, IR max180 мА
Макс. напряжение смещения фотодиода, UREV max9,0 В
Макс. допустимый ток фотодиода, IPD max1,0 мА
Внешняя квантовая эффективностьне менее 30 %
Температурный дрейф длины волны излученияне более 5 Å/°C
Температурный дрейф порогового токане более 3,0 %/°C
Точность позиционирования лазерного кристалла±100 мкм
Наработкаболее 10⁵ часов
КорпусSOT-148, Ø9 мм

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Оптоэлектроника879
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Оптоэлектроника»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»