Описание и применение
КР249КН4А — транзисторная оптопара производства ЗАО «Протон» (г. Орёл). Состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl (арсенид галлия-алюминия) светодиода и кремниевого высоковольтного n-p-n фототранзистора. Кристаллы расположены «лицом-к-лицу», что обеспечивает высокий коэффициент оптической связи.
Благодаря специальной конструкции фототранзистора оптопара имеет высокое быстродействие в ключевом режиме работы при Rн = 5 кОм. Отличается высоким предельным напряжением коллектор-эмиттер (200 В) и напряжением изоляции 5000 В.
Применяется как изолированный интерфейс, в промышленной автоматике и в качестве замены импульсных трансформаторов. Поставляется в корпусах DIP4 и DIP4SMD (SMD-исполнение — К249КН4АТ).
Технические характеристики
| Коэффициент передачи по току (Ki) | не менее 20 % (Uком=10 В, Iвх=10 мА, Rн=5 кОм) |
| Коммутируемое напряжение (Uком), макс. | 200 В |
| Предельное Uк-э | 200 В |
| Входной ток (Iвх) | 10…15 мА |
| Импульсный входной ток (Iвх.и.) | 20 мА (Q=2, tи<10 мс); 100 мА (Q=5, tи<10 мкс) |
| Коммутируемый ток (Iком), макс. | 4 мА |
| Входное напряжение (Uвх) | 1.8 В (Iвх=10 мА) |
| Выходное остаточное напряжение (Uвых.ост.) | 0.8 В (Iвх=10 мА, Iком=2 мА) |
| Ток утечки на выходе (Iут.вых.) | 10 мкА (Uком=200 В) |
| Рассеиваемая мощность (Ррас), макс. | 50 мВт |
| Время задержки распространения при вкл./выкл. (tзд.р.) | 5 мкс / 5 мкс |
| Напряжение изоляции (Uиз) | 5000 В (1 мин, RH<50 %) |
| Сопротивление изоляции (Rиз) | 10¹⁰ Ом (Uиз=500 В) |
| Проходная ёмкость (Спр), макс. | 12 пФ |
| Температура окружающей среды (То) | −45…+70 °C |
| Температура пайки (Тп) | 235±5 °C (1.5 мм от корпуса, 2 с) |
| Корпус | DIP4 / DIP4SMD |
| ТУ (обозначение при заказе) | АДБК.431160.334 ТУ (DIP: КР249КН4А; SMD: К249КН4АТ) |
Техническая документация
Все исполнения серии: КР249КН2
