Описание и применение
КР249КН4К — транзисторная оптопара общего применения производства ЗАО «Протон» (г. Орёл). Состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl-светодиода и кремниевого n-p-n фототранзистора, расположенных в одной плоскости и оптически связанных полусферическим световодом. Такая конструкция обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении напряжения изоляции; внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой.
Ключевые особенности: предельное напряжение коллектор-эмиттер 60 В, напряжение изоляции 5000 В, коэффициент передачи тока 50%. Поставляется в корпусах DIP4 и DIP4SMD.
Применение: изолированный интерфейс, промышленная автоматика, замена импульсных трансформаторов.
Технические характеристики
| Коэффициент передачи тока (Ki) | 20…50 % (Uком=10 В, Iвх=10 мА) |
| Входной ток (Iвх) | 10…15 мА |
| Импульсный входной ток (Iвх.и.) | 20 мА (Q=2, tи<10 мс); 100 мА (Q=5, tи<10 мкс) |
| Входное напряжение (Uвх) | 1.3…1.8 В (Iвх=10 мА) |
| Коммутируемое напряжение (Uком) | до 60 В |
| Коммутируемый ток (Iком) | до 4 мА |
| Выходное остаточное напряжение (Uвых.ост.) | ≤0.4 В (Iвх=10 мА, Iком=2 мА) |
| Ток утечки на выходе (Iут.вых.) | 0.1…10 мкА (Uком=60 В) |
| Рассеиваемая мощность (Ррас) | 50 мВт |
| Напряжение изоляции (Uиз) | 5000 В (1 мин, RH<50%) |
| Сопротивление изоляции (Rиз) | 10¹² Ом (Uиз=500 В) |
| Проходная ёмкость (Спр) | 5 пФ |
| Быстродействие (tзд.р.) | вкл./выкл. ≤4 мкс (Rн=100 Ом, Uком=10 В, Iвх=10 мА) |
| Температура окружающей среды (То) | −45…+70 °C |
| Температура пайки (Тп) | 235±5 °C (1.5 мм от корп., 2 с) |
| Корпус | DIP4 (КР249КН4К) / DIP4SMD (К249КН4КТ) |
| ТУ | АДБК.431160.334 ТУ |
Техническая документация
Все исполнения серии: КР249КН2
