Описание и применение
АОТ162Б (ЗАО «ПРОТОН», г. Орёл) — высоковольтная транзисторная оптопара, состоящая из кристалла инфракрасного AsGaAl-светодиода и кремниевого n-p-n составного (дарлингтоновского) фототранзистора с выводом базы. Кристаллы расположены в одной плоскости и оптически связаны полусферическим световодом, что обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении напряжения изоляции.
Назначение — гальванически изолированный интерфейс, промышленная автоматика, замена импульсных трансформаторов. Внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой; поставляется в корпусах DIP6 и DIP6SMD.
Особенности исполнения «Б»: предельное коммутируемое напряжение 60 В, высокое напряжение изоляции 6000 В и низкий входной ток (менее 5 мА). Вывод базы (выводы 4 и 6) позволяет подключать внешний резистор для управления чувствительностью и быстродействием.
Технические характеристики
| Тип фотоприёмника | кремниевый n-p-n составной (дарлингтоновский) фототранзистор с выводом базы |
| Излучатель | ИК-светодиод AsGaAl |
| Макс. коммутируемое напряжение Uком.max | 60 В |
| Макс. входное обратное напряжение Uвх.обр.max | 3.5 В |
| Макс. входной ток Iвх.max | 20 мА |
| Макс. выходной ток Iвых.max | 15 мА |
| Макс. импульсный входной ток Iвх.и.max | 100 мА (tи=10 мкс, Q>5) |
| Макс. рассеиваемая мощность Ррас.max | 22.5 мВт (−45…35°С); 7.5 мВт (85°С) |
| Входное напряжение Uвх (25°С) | 1.6 В (при Iвх=5 мА) |
| Выходное остаточное напряжение Uвых.ост | 1.5 В (Iвх=5 мА, Iвых=15 мА) |
| Ток утечки на выходе Iут.вых | 10 мкА (Iвх=0, Uвых=30 В, Rбэ=1 МОм) |
| Напряжение изоляции Uиз (ампл.) | 6000 В (1 мин, отн. вл. <50%) |
| Сопротивление изоляции Rиз | 10¹¹ Ом (при Uиз=500 В) |
| Рабочий диапазон температур | −45…+85°С |
| Температура пайки Тп | 265°С (не менее 2.5 мм от корпуса, не более 10 с) |
| Корпус | DIP6 / DIP6SMD |
| ТУ (заказ) | АОТ162Б АДБК.432220.660 ТУ (SMD: АОТ162Б9) |
Техническая документация
Все исполнения серии: АОТ162
