Транзисторы МП16 германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП16
Переключательный, а не усилительный
МП16 — германиевый сплавной p-n-p транзистор малой мощности, предназначенный для схем переключения и формирования импульсов. Его часто ставят в один ряд с МП13—МП15, но таблица параметров у него другая: коэффициент передачи тока измеряется в ключевом режиме, при Uкэ = 1 В и Iк = 10 мА, а не малосигнально. Нормируются напряжения насыщения и время переключения — графы, которых у усилительных соседей нет вовсе. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами, масса до 2 г.
Скорость: 2 мкс
Время переключения у бесбуквенного МП16 нормируется величиной не более 2 мкс при Uкэ = 15 В и сопротивлении в коллекторе 1,5 кОм. Это самая медленная позиция серии: МП16А укладывается в 1,5 мкс, МП16Б — в 1 мкс. Предельная частота коэффициента передачи тока — не менее 1 МГц, столько же у литеры А, вдвое больше у Б.
В открытом и закрытом состоянии
В насыщении при Iк = 10 мА и Iб = 1 мА остаточное напряжение коллектор-эмиттер не превышает 0,15 В, база-эмиттер — 0,35 В. Статический коэффициент передачи тока равен 20—35 при +20 °C, 10—35 на морозе −60 °C и 20—80 при +70 °C. В закрытом состоянии ток коллектор-эмиттер при 15 В и подпоре 0,5 В на базе не выше 25 мкА при комнатной температуре, 200 мкА при +70 °C и 400 мкА в импульсном измерении при 12 В. Разница этих двух норм, 0,2 В, — это прямое смещение коллекторного перехода у полностью открытого прибора.
Предельно допустимые величины
Допустимое постоянное напряжение по всем переходам 15 В, импульсный ток коллектора 300 мА — вдвое больше, чем у усилительной части группы, средний ток эмиттера 50 мА. Мощность рассеяния 200 мВт до +45 °C, 100 мВт при давлении 665 Па и 75 мВт при +70 °C. Тепловое сопротивление переход—среда 200, температура перехода до 85 °C, рабочая среда от −60 до +70 °C. В ту же серию входят исполнения МП16ЯI и МП16ЯII с током измерения 100 мА и собственным набором норм, поэтому напрямую с МП16 они не сравниваются.
Паспортные параметры МП16
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база), В
15
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер с резистором в цепи база-эмиттер; для МП16…МП16Б Rэб ≤ 2 кОм), В
15
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
15
Iк макс импульсный, мА
300
Iэ ср макс (среднее значение тока эмиттера), мА
50
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность, до +45 °C, p ≥ 6666 Па), мВт
200
Pк макс при пониженном давлении (p = 665 Па), до +45 °C, мВт
100
Pк макс при +70 °C, мВт
75
h21э (статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкэ = 1 В, Iк = 10 мА) при +20 °C, -
20-35
h21э при −60 °C, -
10-35
h21э при +70 °C, -
20-80
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
Uкэ нас макс (напряжение насыщения коллектор-эмиттер; Iк = 10 мА, Iб = 1 мА), В
0,15
Uбэ нас макс (напряжение насыщения база-эмиттер; Iк = 10 мА, Iб = 1 мА), В
0,35
Iкэо (обратный ток коллектор-эмиттер; Uкэ = 15 В, Uэб = 0,5 В) при +20 °C, не более, мкА
Время переключения (Uкэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм), не более, мкс
2
Rт п-с макс (общее тепловое сопротивление переход-среда), К/Вт
200
Tп макс (температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60…+70
Чем МП16 отличается от других исполнений
Параметр
МП16
А
Б
ЯI
ЯII
h21э (статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкэ = 1 В, Iк = 10 мА) при +20 °C, -
20-35
30-50
45-100
—
—
h21э при −60 °C, -
10-35
15-50
23-100
—
—
h21э при +70 °C, -
20-80
30-100
45-200
—
—
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
1
2
—
—
Время переключения (Uкэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм), не более, мкс
2
1,5
1
—
—
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 86-89
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.87 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.88 (отрендерено и прочитано глазами)
Бессарабов Б. Ф. и др., «Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения», 1994, таблица 3.1.1 на с.110 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 130-131 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 181-183 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 181-183, 130-131 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.42 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.43 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
