Транзисторы МП16А германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП16А
Средняя ступень ключевого ряда
МП16А занимает середину серии по двум главным для ключа графам. Время переключения у него нормировано величиной не более 1,5 мкс — быстрее бесбуквенного МП16 с его 2 мкс и медленнее МП16Б, укладывающегося в микросекунду. Статический коэффициент передачи тока равен 30—50 при +20 °C: у базовой литеры 20—35, у старшей 45—100. Прибор германиевый, сплавной, p-n-p, малой мощности, корпус металлостеклянный с гибкими выводами.
Ток в открытом состоянии
Коэффициент передачи измеряется в ключевом режиме, при напряжении коллектор-эмиттер 1 В и токе коллектора 10 мА. На краях рабочего диапазона нормируется 15—50 при −60 °C и 30—100 при +70 °C. Напряжения насыщения такие же, как у всей серии: не более 0,15 В по коллектор-эмиттеру и не более 0,35 В по база-эмиттеру при Iк = 10 мА и Iб = 1 мА. Предельная частота коэффициента передачи тока — от 1 МГц.
Закрытое состояние и утечки
Закрытый прибор при 15 В и смещении 0,5 В на эмиттерном переходе пропускает не более 25 мкА, при +70 °C — до 200 мкА. Отдельно нормирован импульсный сквозной ток: не свыше 400 мкА при 12 В и коллекторном сопротивлении 1,5 кОм. Ток утечки у германия сильно зависит от температуры, поэтому для ключевой схемы важнее не комнатное значение, а верхняя строка — та, что снята при нагреве.
Предельные величины
Постоянные напряжения коллектор-база, коллектор-эмиттер (Rэб ≤ 2 кОм) и эмиттер-база — по 15 В. Импульсный ток коллектора 300 мА, средний ток эмиттера 50 мА. Рассеиваемая мощность 200 мВт до +45 °C, 100 мВт при пониженном давлении 665 Па, 75 мВт при +70 °C. Общее тепловое сопротивление переход—среда 200, температура перехода не выше 85 °C. Числа собраны из печатных справочников и сверены между несколькими изданиями.
Паспортные параметры МП16А
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база), В
15
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер с резистором в цепи база-эмиттер; для МП16…МП16Б Rэб ≤ 2 кОм), В
15
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
15
Iк макс импульсный, мА
300
Iэ ср макс (среднее значение тока эмиттера), мА
50
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность, до +45 °C, p ≥ 6666 Па), мВт
200
Pк макс при пониженном давлении (p = 665 Па), до +45 °C, мВт
100
Pк макс при +70 °C, мВт
75
h21э (статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкэ = 1 В, Iк = 10 мА) при +20 °C, -
30-50
h21э при −60 °C, -
15-50
h21э при +70 °C, -
30-100
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
Uкэ нас макс (напряжение насыщения коллектор-эмиттер; Iк = 10 мА, Iб = 1 мА), В
0,15
Uбэ нас макс (напряжение насыщения база-эмиттер; Iк = 10 мА, Iб = 1 мА), В
0,35
Iкэо (обратный ток коллектор-эмиттер; Uкэ = 15 В, Uэб = 0,5 В) при +20 °C, не более, мкА
Время переключения (Uкэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм), не более, мкс
1,5
Rт п-с макс (общее тепловое сопротивление переход-среда), К/Вт
200
Tп макс (температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60…+70
Чем МП16А отличается от других исполнений
Параметр
МП16
А
Б
ЯI
ЯII
h21э (статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкэ = 1 В, Iк = 10 мА) при +20 °C, -
20-35
30-50
45-100
—
—
h21э при −60 °C, -
10-35
15-50
23-100
—
—
h21э при +70 °C, -
20-80
30-100
45-200
—
—
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
1
2
—
—
Время переключения (Uкэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм), не более, мкс
2
1,5
1
—
—
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 86-89
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.87 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.88 (отрендерено и прочитано глазами)
Бессарабов Б. Ф. и др., «Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения», 1994, таблица 3.1.1 на с.110 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 130-131 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 181-183 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 181-183, 130-131 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.42 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.43 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
