Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2Т825А2 — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Мощный транзистор структуры p-n-p

2Т825А2 — кремниевый мезапланарный транзистор структуры p-n-p, усилительный, для усилителей и переключающих устройств.

Мощные p-n-p приборы всегда были в меньшинстве, и причина физическая: подвижность дырок втрое ниже подвижности электронов. При равном кристалле p-n-p транзистор медленнее и имеет большее напряжение насыщения. Делали их ради одного — комплементарной пары для двухтактного выходного каскада.

Вторичный пробой — то, чего нет в паспортных «предельных значениях»

Самое опасное свойство мощного биполярного транзистора не выписано отдельной строкой: прибор может выйти из строя внутри паспортных пределов по току, напряжению и мощности — если они действуют одновременно.

Механизм такой. Ток по площади кристалла распределён не идеально ровно. Участок, где плотность выше, греется сильнее. У биполярного прибора напряжение база-эмиттер с нагревом падает, значит горячий участок открывается сильнее и берёт ещё больше тока. Обратная связь положительная: ток стягивается в шнур, и кристалл прогорает в точке за микросекунды.

Отсюда понятие области безопасной работы — это график в осях «ток — напряжение», у которого граница при больших напряжениях идёт круче, чем линия постоянной мощности. При 100 В прибор выдерживает заметно меньше, чем «предельная мощность, делённая на 100».

⚠️ Проверять режим по одной лишь рассеиваемой мощности недостаточно. Особенно это касается работы на индуктивную нагрузку и линейных стабилизаторов при коротком замыкании — там прибор оказывается под полным напряжением и полным током одновременно.

У полевых транзисторов этой беды нет: сопротивление канала с нагревом растёт, и ток сам расползается по кристаллу. Это и стало одним из главных доводов при переходе на них в силовой технике.

Описание и применение

Транзисторы 2Т825А2 кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.

Технические характеристики

Обозначение2Т825А2
Зарубежный аналогBDW47

Внешний вид

2Т825А2

Все исполнения серии: КТ825

Даташит зарубежного аналога — BDW47 (Motorola, Inc)
Собственный паспорт на 2Т825А2 в нашей библиотеке отсутствует. Ниже — фирменный даташит прибора, указанного в справочнике как зарубежный аналог: назначение, функция и цоколёвка у него те же.
⚠️ Это документ на другой прибор. Предельные режимы, температурный диапазон и нормы приёмки у зарубежного коммерческого исполнения отличаются от наших — сверяйте их по таблице параметров на этой странице, а не по даташиту.
Скачать даташит BDW47 (PDF, 423 КБ) ↓

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»