Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


П217В — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

Транзисторы П217В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Технические характеристики

ОбозначениеП217В
Зарубежный аналогASZ1015

Ключевая литера: полвольта в насыщении

П217В — единственное исполнение серии, у которого остаточное напряжение коллектор-эмиттер нормировано величиной не более 0,5 В. Правда, режим измерения свой: ток коллектора 2 А при токе базы 0,3 А, тогда как у П217, П217А, П217Б и П217Г ту же графу снимают при 4 А и 0,5 А, получая до 1 В. Сравнивать напрямую нельзя: остаточное напряжение у В вдвое ниже, но и коллекторный ток в точке замера вдвое меньше, и базовый ток скромнее.

Чем пришлось заплатить

Мощность рассеяния у литеры В снижена до 24 Вт при температуре корпуса до 25 °C и 6 Вт при 70 °C, тепловое сопротивление переход-корпус выросло до 2,5 °C/Вт против 2 °C/Вт у старшей группы. Обратный ток коллектора допускается до 3 мА при +20 °C и до 7,5 мА при +70 °C — в шесть раз больше холодной нормы исполнений без буквы, А и Б. Обратный ток эмиттера при 15 В — 0,75 мА и 7 мА в тех же точках, плавающее напряжение эмиттера — до 0,5 В.

Напряжения и токи в закрытом состоянии

Коллектор-база и коллектор-эмиттер при закороченной базе — 60 В, как у всей серии; строки для оборванной базы у этой буквы нет. Зато ток коллектор-эмиттер при закороченной базе нормирован при полном напряжении 60 В и составляет не более 20 мА — вдвое с половиной меньше, чем 50 мА, разрешённые старшим исполнениям при 45 В. Для схемы, где транзистор долго стоит закрытым под полным питанием, это выигрышная комбинация.

Усиление и общие для серии величины

Малосигнальный коэффициент передачи тока задан диапазоном 15…40 при Uкэ = 3 В и токе коллектора 2 А. Обратное напряжение эмиттерного перехода — 15 В, постоянный ток коллектора 7,5 А, базы 0,75 А, предельная температура перехода 85 °C. Нижняя граница частоты передачи тока измеряется в схеме с общей базой при десяти вольтах на коллекторе и сотне миллиампер коллекторного тока; у всех пяти исполнений серии эта строка одна и та же.

Паспортные параметры П217В

Uкб макс и Uкэ макс при Rбэ = 0, В60
Uэб макс, В15
Iк макс, А7,5
Iб макс, А0,75
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт24
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт6
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), -15...40 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 60 В), мА3
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 60 В), мА7,5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА20 (Rбэ = 0, Uкэ = 60 В)
Uкэ нас, В<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА0,75
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА7
Плавающее напряжение эмиттера при Uкб = 60 В, не более, В0,5
Rth переход-корпус, °C/Вт2,5
fгр (ОБ, Uкб = 10 В, Iк = 0,1 А), не менее, кГц100
Тп макс (температура перехода), °C85

Чем П217В отличается от других исполнений

ПараметрП217АБВГ
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт3030302424
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт7,57,57,566
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), ->= 15 (статический, Uкэ = 1 В, Iк = 4 А)20...60 (малый сигнал, Uкэ = 5 В, Iк = 1 А)>= 20 (малый сигнал, Uкэ = 5 В, Iк = 1 А)15...40 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)15...40 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 60 В), мА0,50,50,533
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 60 В), мА5557,57,5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА50 (Iб = 0, Uкэ = 45 В)50 (Iб = 0, Uкэ = 45 В)50 (Iб = 0, Uкэ = 45 В)20 (Rбэ = 0, Uкэ = 60 В)20 (Rбэ = 0, Uкэ = 60 В)
Uкэ нас, В<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА0,40,40,40,750,75
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА44477
Плавающее напряжение эмиттера при Uкб = 60 В, не более, В0,30,30,30,50,5
Rth переход-корпус, °C/Вт2222,52,5

Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 527-528, 529
  • Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 371-372
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979, с. 92
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1144. Григорьев В. А. Транзисторы, 1988, с. 114
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1154. Отечественные полупроводниковые приборы и зарубежные аналоги
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 638. Транзисторы, 1968, с. 26
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 824. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1974, с. 342
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 879. Транзисторы, 1975
  • Электронные компоненты и системы (выписка из ТУ)

Расхождения в источниках

Ниже — параметры, по которым печатные справочники расходятся между собой. Это не опечатки: значения сверены по нескольким изданиям и прочитаны со сканов. Мы приводим обе версии со ссылками, чтобы вы могли сверить со своим справочником и проверить деталь измерением.

  • П217В, h21э. 15...40 (Горюнов-1976 с.371, МРБ-824 с.342, МРБ-1002 с.92 прочитано глазами) против 15...30 (МРБ-1154). У Аронова П217В в списке h21э вообще отсутствует. Взято 15...40 — три источника.
  • П217Г, h21э — источник. У Аронова с.528 (глазами) 15...40, у Горюнова-1976 и МРБ-824 тоже 15...40, но в таблице МРБ-1002 с.92 графа h21э для строки 826 (П217Г) пустая. Пропуск в МРБ-1002, не противоречие.
  • П217А, П217Б, П217В, П217Г — Uкб по Нефёдову-1978. Нефёдов-1978 с.112 (прочитано глазами) даёт в графе Uкб проб: П217 — 60 В, а П217А, П217Б, П217В, П217Г — 50 В. Против: МРБ-1002 с.92 строки 825, 826, 829-831 (глазами) — 60 В у всех пяти; МРБ-1144 с.114 (глазами) — 60 В у всех пяти; МРБ-879 строки 717, 718, 721-723 — 60 В; Горюнов-1976 с.372 (глазами) — 60 В у П217В и П217Г. Взято 60 В, Нефёдов — единственный выбивающийся источник.
  • Независимая перепроверка П217 (2026-09-02). h21э П217В = 15—40 подтверждён третий и четвёртый раз глазами: Горюнов-1976 с.372 («для П217В, П217Г 15—40») и МРБ-1002 с.92 строка 825. Версия МРБ-1154 с 15—30 остаётся отвергнутой. Заголовок раздела Аронова «П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г» (с.526) прочитан глазами — литер в П217 ровно пять.

Внешний вид

П217В

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»