Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


П217 — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

Транзисторы П217 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Технические характеристики

ОбозначениеП217
Зарубежный аналогAD130

Передача тока измерена в статике, на четырёх амперах

Исполнение без буквы отличается от собственных литер прежде всего методикой: у П217 нормирован статический коэффициент передачи тока, не менее 15, при Uкэ = 1 В и токе коллектора 4 А. У букв А и Б усиление задано как малосигнальное при токе 1 А, у В и Г — при 2 А. Цифры поэтому несопоставимы напрямую: статическое значение на большом токе учитывает спад усиления, который малосигнальное измерение на меньшем токе просто не показывает. Для выходного каскада и для ключа полезнее именно первая величина.

Предельные режимы

Коллектор-базовый переход и промежуток коллектор-эмиттер при закороченной базе рассчитаны у всей серии на одно и то же напряжение — 60 В. Если базу оставить оборванной, потолок падает до 45 В, и такая строка приведена только для исполнений без буквы, А и Б: у младших литер справочник этот режим не оговаривает. Эмиттерный переход в обратном включении держит 15 В. Токи заданы щедро — 7,5 А через коллектор и 0,75 А через базу. По теплу прибор относится к старшей группе: 30 Вт при холодном корпусе, не горячее 25 °C, и вчетверо меньше, 7,5 Вт, когда корпус разогрет до 70 °C. Переход отделён от корпуса сопротивлением 2 °C/Вт и не должен нагреваться выше 85 °C.

Остаточные напряжения

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не превышает 1 В при токе коллектора 4 А и токе базы 0,5 А. Напряжение насыщения база-эмиттер задано величиной не более 1,5 В при токе коллектора 3,5 А и том же базовом токе — это самый мягкий допуск в серии: у П217Б та же графа приведена вилкой 0,6…0,9 В, у П217Г ограничена 0,8 В. При расчёте цепи раскачки разница существенна, поскольку определяет требуемое напряжение источника базового тока.

Утечки коллектора и эмиттера

В запертом состоянии через коллекторный переход при полных 60 В просачивается не более 0,5 мА на холоде и не более 5 мА при +70 °C. Такая пара цифр — у трёх старших исполнений; литерам В и Г разрешено 3 и 7,5 мА, то есть шестикратно больше в холодной точке. Если базу оборвать, при 45 В прибор пропускает до 50 мА. Эмиттерный переход под обратными 15 В пропускает 0,4 мА в холодном состоянии и 4 мА в нагретом, плавающее напряжение эмиттера при 60 В не превышает 0,3 В. Граничная частота коэффициента передачи тока измерена в схеме с общей базой и для всех пяти исполнений одинакова. Числа взяты из печатных справочников и сверены между изданиями.

Паспортные параметры П217

Uкб макс и Uкэ макс при Rбэ = 0, В60
Uкэ макс при Iб = 0, В45
Uэб макс, В15
Iк макс, А7,5
Iб макс, А0,75
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт30
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт7,5
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), ->= 15 (статический, Uкэ = 1 В, Iк = 4 А)
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 60 В), мА0,5
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 60 В), мА5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА50 (Iб = 0, Uкэ = 45 В)
Uкэ нас, В<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)
Uбэ нас (Iк = 3,5 А, Iб = 0,5 А), В<= 1,5
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА0,4
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА4
Плавающее напряжение эмиттера при Uкб = 60 В, не более, В0,3
Rth переход-корпус, °C/Вт2
fгр (ОБ, Uкб = 10 В, Iк = 0,1 А), не менее, кГц100
Тп макс (температура перехода), °C85

Чем П217 отличается от других исполнений

ПараметрП217АБВГ
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт3030302424
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт7,57,57,566
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), ->= 15 (статический, Uкэ = 1 В, Iк = 4 А)20...60 (малый сигнал, Uкэ = 5 В, Iк = 1 А)>= 20 (малый сигнал, Uкэ = 5 В, Iк = 1 А)15...40 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)15...40 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 60 В), мА0,50,50,533
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 60 В), мА5557,57,5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА50 (Iб = 0, Uкэ = 45 В)50 (Iб = 0, Uкэ = 45 В)50 (Iб = 0, Uкэ = 45 В)20 (Rбэ = 0, Uкэ = 60 В)20 (Rбэ = 0, Uкэ = 60 В)
Uкэ нас, В<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)<= 1,0 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)
Uбэ нас (Iк = 3,5 А, Iб = 0,5 А), В<= 1,5—0,6...0,9—<= 0,8
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА0,40,40,40,750,75
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА44477
Плавающее напряжение эмиттера при Uкб = 60 В, не более, В0,30,30,30,50,5
Rth переход-корпус, °C/Вт2222,52,5

Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 527-528, 529
  • Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 371-372
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979, с. 92
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1144. Григорьев В. А. Транзисторы, 1988, с. 114
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1154. Отечественные полупроводниковые приборы и зарубежные аналоги
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 638. Транзисторы, 1968, с. 26
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 824. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1974, с. 342
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 879. Транзисторы, 1975
  • Электронные компоненты и системы (выписка из ТУ)

Расхождения в источниках

Ниже — параметры, по которым печатные справочники расходятся между собой. Это не опечатки: значения сверены по нескольким изданиям и прочитаны со сканов. Мы приводим обе версии со ссылками, чтобы вы могли сверить со своим справочником и проверить деталь измерением.

  • П217В, h21э. 15...40 (Горюнов-1976 с.371, МРБ-824 с.342, МРБ-1002 с.92 прочитано глазами) против 15...30 (МРБ-1154). У Аронова П217В в списке h21э вообще отсутствует. Взято 15...40 — три источника.
  • П217Г, h21э — источник. У Аронова с.528 (глазами) 15...40, у Горюнова-1976 и МРБ-824 тоже 15...40, но в таблице МРБ-1002 с.92 графа h21э для строки 826 (П217Г) пустая. Пропуск в МРБ-1002, не противоречие.
  • П217А, П217Б, П217В, П217Г — Uкб по Нефёдову-1978. Нефёдов-1978 с.112 (прочитано глазами) даёт в графе Uкб проб: П217 — 60 В, а П217А, П217Б, П217В, П217Г — 50 В. Против: МРБ-1002 с.92 строки 825, 826, 829-831 (глазами) — 60 В у всех пяти; МРБ-1144 с.114 (глазами) — 60 В у всех пяти; МРБ-879 строки 717, 718, 721-723 — 60 В; Горюнов-1976 с.372 (глазами) — 60 В у П217В и П217Г. Взято 60 В, Нефёдов — единственный выбивающийся источник.
  • Независимая перепроверка П217 (2026-09-02). h21э П217В = 15—40 подтверждён третий и четвёртый раз глазами: Горюнов-1976 с.372 («для П217В, П217Г 15—40») и МРБ-1002 с.92 строка 825. Версия МРБ-1154 с 15—30 остаётся отвергнутой. Заголовок раздела Аронова «П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г» (с.526) прочитан глазами — литер в П217 ровно пять.

Внешний вид

П217
Даташит зарубежного аналога — MMAD130 (MICROSEMI)
Собственный паспорт на П217 в нашей библиотеке отсутствует. Ниже — фирменный даташит прибора, указанного в справочнике как зарубежный аналог: назначение, функция и цоколёвка у него те же.
⚠️ Это документ на другой прибор. Предельные режимы, температурный диапазон и нормы приёмки у зарубежного коммерческого исполнения отличаются от наших — сверяйте их по таблице параметров на этой странице, а не по даташиту.
Скачать даташит MMAD130 (PDF, 60 КБ) ↓

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»