2П303А — транзистор

Описание и применение

Транзисторы 2П303А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.

Технические характеристики

Обозначение	2П303А
Зарубежный аналог	2N3823

Паспортные параметры 2П303А

Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА	0,5…2,5
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В	1…4
Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 0,01 мА, В	0,5…3,0
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В	1
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В	0,5
Ток утечки затвора при Uзи = 10 В и +25 °C, не более, нА	1,0
Ток утечки затвора при Uзи = 10 В и +125 °C, не более, мкА	1,0
Ток утечки затвора при Uзи = 30 В, не более, мкА	10
Входная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ	6,0
Проходная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ	2,0
Сопротивление изоляции канал-корпус, не менее, МОм	20
Предельное напряжение сток-исток, В	25
Предельное напряжение затвор-сток и затвор-исток, В	30
Предельный постоянный ток стока, мА	20
Предельный прямой ток затвора, мА	5,0
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре до +25 °C, мВт	200
Температура окружающей среды, °C	−60…+125

Чем 2П303А отличается от других исполнений

Исполнение	Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА	Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В	Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 0,01 мА, В	Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В	Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В	Ток утечки затвора при Uзи = 10 В и +25 °C, не более, нА
А	0,5…2,5	1…4	0,5…3,0	1	0,5	1,0
Б	0,5…2,5	1…4	0,5…3,0	1	0,5	1,0
В	1,5…5,0	2…5	1,0…4,0	2	1	1,0
Г	3,0…12	3…7	не более 8,0	3	1,5	0,1
Д	3,0…9,0	не менее 2,6	не более 8,0	2,6	1,3	1,0
Е	5,0…20	не менее 4	не более 8,0	4	2	1,0
И	1,5…5,0	2…6	1,0…3,0	2	1	1,0

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 829
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 322

Внешний вид

Все исполнения серии: КП303