Транзисторы МП16Б германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
МП16Б
Быстрейшее исполнение серии
По времени переключения МП16Б — лучший в серии: не более 1 мкс при Uкэ = 15 В и Rк = 1,5 кОм, против 1,5 мкс у литеры А и 2 мкс у бесбуквенного прибора. Заодно у него вдвое выше предельная частота коэффициента передачи тока — не менее 2 МГц, тогда как остальные исполнения нормируются на 1 МГц. Для формирователей импульсов эта пара цифр и есть причина выбирать именно эту букву.
Усиление в ключевом режиме
Статический коэффициент передачи тока при Uкэ = 1 В и Iк = 10 мА составляет 45—100 — наибольшее значение серии. При −60 °C нормируется 23—100, при +70 °C — 45—200. Больший коэффициент означает, что для надёжного насыщения базе достаточно меньшего тока, и это напрямую влияет на потребление формирующего каскада. Ток измерения при этом невелик — 10 мА, и в сильноточном ключе фактический коэффициент окажется ниже табличного.
Остаточные напряжения и утечки
В насыщении при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА падение на переходе коллектор-эмиттер не превышает 0,15 В, на эмиттерном — 0,35 В; эти нормы у всей серии общие. Закрытое состояние: не более 25 мкА при +20 °C, 200 мкА при +70 °C, 400 мкА в импульсном измерении при 12 В. Импульсная норма сквозного тока снимается при 12 В и коллекторном сопротивлении 1,5 кОм, то есть близко к рабочему для ключа режиму.
Что нельзя превышать
Предельные постоянные напряжения — 15 В по каждому из трёх переходов. Импульсный ток коллектора 300 мА, средний ток эмиттера 50 мА, мощность рассеяния 200 мВт до +45 °C и 75 мВт при +70 °C; в разрежённой атмосфере при 665 Па — 100 мВт. Температура перехода ограничена 85 °C, диапазон окружающей среды от −60 до +70 °C, тепловое сопротивление переход—среда 200. Эти три графы одинаковы у всех исполнений: различие литер лежит в динамике и усилении, а не в тепловом запасе. Все перечисленные значения восстановлены из печатных изданий.
Паспортные параметры МП16Б
Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база), В
15
Uкэ макс (постоянное напряжение коллектор-эмиттер с резистором в цепи база-эмиттер; для МП16…МП16Б Rэб ≤ 2 кОм), В
15
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В
15
Iк макс импульсный, мА
300
Iэ ср макс (среднее значение тока эмиттера), мА
50
Pк макс (постоянная рассеиваемая мощность, до +45 °C, p ≥ 6666 Па), мВт
200
Pк макс при пониженном давлении (p = 665 Па), до +45 °C, мВт
100
Pк макс при +70 °C, мВт
75
h21э (статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкэ = 1 В, Iк = 10 мА) при +20 °C, -
45-100
h21э при −60 °C, -
23-100
h21э при +70 °C, -
45-200
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
2
Uкэ нас макс (напряжение насыщения коллектор-эмиттер; Iк = 10 мА, Iб = 1 мА), В
0,15
Uбэ нас макс (напряжение насыщения база-эмиттер; Iк = 10 мА, Iб = 1 мА), В
0,35
Iкэо (обратный ток коллектор-эмиттер; Uкэ = 15 В, Uэб = 0,5 В) при +20 °C, не более, мкА
Время переключения (Uкэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм), не более, мкс
1
Rт п-с макс (общее тепловое сопротивление переход-среда), К/Вт
200
Tп макс (температура перехода), °C
85
Диапазон температуры окружающей среды, °C
−60…+70
Чем МП16Б отличается от других исполнений
Параметр
МП16
А
Б
ЯI
ЯII
h21э (статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ; Uкэ = 1 В, Iк = 10 мА) при +20 °C, -
20-35
30-50
45-100
—
—
h21э при −60 °C, -
10-35
15-50
23-100
—
—
h21э при +70 °C, -
20-80
30-100
45-200
—
—
fh21б макс (предельная частота коэффициента передачи тока; Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА), не менее, МГц
1
1
2
—
—
Время переключения (Uкэ = 15 В, Rк = 1,5 кОм), не более, мкс
2
1,5
1
—
—
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1982 (независимая перепроверка: страницы отрендерены и прочитаны глазами), с. 86-89
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.87 (отрендерено и прочитано глазами)
«Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник» под ред. Н. Н. Горюнова, 1985, с.88 (отрендерено и прочитано глазами)
Бессарабов Б. Ф. и др., «Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения», 1994, таблица 3.1.1 на с.110 (независимая перепроверка: отрендерено и прочитано глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 130-131 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 181-183 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1002, «Транзисторы», 1979, строки 181-183, 130-131 (отрендерено и прочитано глазами; расшифровка граф — с.24-25, прочитана глазами)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.42 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
МРБ вып. 1144, «Транзисторы. Справочник», 1989, с.43 (отрендерено и прочитано глазами; шапка таблицы прочитана глазами там же)
