Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


3П339А-2 — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

3П339А-2 — арсенид-галлиевый (GaAs) полевой транзистор с затвором Шоттки и n-каналом, предназначенный для работы в сантиметровом диапазоне волн (X/Ku-диапазон, 8-18 ГГц). По физике это MESFET — металл-полупроводниковый полевой транзистор, где роль затворного диэлектрика играет обеднённый слой барьера Шоттки на GaAs. Такая конструкция обеспечивает принципиально более высокую подвижность носителей по сравнению с кремнием, что и открывает путь в сантиметровый СВЧ-диапазон недоступный обычным биполярным или MOS-транзисторам тех лет.

Главное назначение прибора — малошумящее усиление в СВЧ-трактах. Транзистор разрабатывался с нормированным коэффициентом шума на частотах 8 и 17,4 ГГц, что прямо указывает на применение во входных каскадах радиоприёмных устройств, где уровень собственного шума определяет чувствительность всего тракта. Рассеиваемая мощность 250 мВт и начальный ток стока 50-90 мА при малом рабочем напряжении (Uси не более 5,5 В) характеризуют его как маломощный СВЧ-прибор — не усилитель мощности передатчика, а элемент малосигнальных и широкополосных усилительных каскадов.

3П339А-2 применялся в составе гибридных интегральных схем (ГИС) — тогдашнего стандарта для СВЧ-модулей военной и специальной аппаратуры: радиолокационные приёмники, системы радиоэлектронной борьбы, измерительная техника СВЧ-диапазона. Исполнение «-2» предполагает одиночный кристалл в корпусе с керамическим основанием и гибкими ленточными выводами — конструктив, характерный для монтажа в тонкоплёночные ГИС. Суффикс «А» в наименовании серии традиционно для советской номенклатуры обозначает первую группу отбора по параметрам.

Зарубежный функциональный аналог — NE388-06 (NEC), также GaAs MESFET сантиметрового диапазона общего применения. Серия 3П339 в целом относится к числу наиболее применявшихся отечественных арсенид-галлиевых СВЧ-транзисторов в изделиях оборонного и научного назначения 1980-х годов — советский ответ на западные GaAs FET того же класса, выпускавшиеся NEC, Fujitsu и Avantek.

3П339А-2 — полевой транзистор. Одиночное исполнение. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 3П339А-2

Электрические параметры

Параметр3П339А-2
Крутизна S1-S2 / I(U)10/10
Iнач I01-I02 / U50-90/2
Iз ут / Uз, нА/В1000/
Uзи отс / Iс5.0
Uзс max, В7
Uзи max, В5
Uси max, В5.5
Pрас250
Проводимость / каналШоттки/N

Исполнения серии

3П339А-5

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»