Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


3П324 — полевой транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

3П324 — арсенид-галлиевый СВЧ транзистор с затвором Шоттки (GaAs MESFET), n-канальный, предназначенный для малошумящих усилителей (МШУ) в диапазоне частот до 12 ГГц (X- и Ku-диапазон). Это не обычный полевой транзистор на кремнии, а специализированный СВЧ-прибор: арсенид галлия обеспечивает существенно более высокую подвижность электронов и меньший уровень шума по сравнению с кремнием, что и делает его незаменимым именно в микроволновой технике. Выпускался в вариантах 3П324А-2 и 3П324Б-2, различающихся отбором по параметрам.

Конструктивно прибор бескорпусной — кристалл смонтирован на кристаллодержателе с гибкими выводами (корпус КТ-21), что типично для элементов, встраиваемых в гибридные интегральные микросхемы (ГИС) и микросборки. Именно туда он и шёл: не в штырьковую плату, а в высокочастотный модуль, где длина выводов критична и счёт идёт на доли миллиметра. Крутизна характеристики 5-10 мА/В при очень низких рабочих напряжениях (Uси не более 4 В, Uзи не более 3 В) и рассеиваемой мощности до 80 мВт однозначно относят 3П324 к маломощным усилительным приборам — вся его ценность не в мощности, а в сочетании высокочастотности с низким коэффициентом шума.

Основная область применения — входные и последующие каскады малошумящих усилителей в составе приёмных модулей: радиолокационные станции, системы спутниковой связи, радиоастрономические приёмники, радиометры. Там, где сигнал слаб и каждый децибел коэффициента шума на счету, GaAs MESFET типа 3П324 был практически безальтернативным решением в советской и российской аппаратуре X-диапазона. Зарубежными функциональными аналогами служат GaAs MESFET-транзисторы того же класса: CFY10, CFY12 (Siemens), MGF1403, MGF1405 (Mitsubishi), NE75083 (NEC).

В отличие от массовых транзисторов вроде КТ315, 3П324 — узкоспециализированный прибор оборонно-космического профиля, выпускавшийся для конкретных применений в СВЧ-модулях. В открытой радиолюбительской практике он встречается редко, зато хорошо известен разработчикам аппаратуры диапазонов X и Ku как один из отечественных GaAs-элементов с нормированным коэффициентом шума на частотах свыше 10 ГГц.

3П324 — полевой транзистор. Варианты: 3П324А-2, 3П324Б-2. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 3П324

Электрические параметры

Параметр3П324А-23П324Б-2
Крутизна S1-S2 / I(U)5-10/105-10/10
Iз ут / Uз, нА/В20 мкA20 мкA
Uзс max, В99
Uзи max, В55
Uси max, В44
Pрас6060

Исполнения серии

3П324А-2 · 3П324Б-2

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»