3П343А-2 — арсенид-галлиевый полевой транзистор с затвором Шоттки (ПТШ, в западной терминологии — MESFET), выполненный по n-канальной технологии. Принадлежит к советской серии 3П — семейству СВЧ-транзисторов на арсениде галлия, разработанных для работы в дециметровом и сантиметровом диапазонах длин волн. Главная особенность прибора — нормированный коэффициент шума на частоте 12 ГГц (Ku-диапазон), что сразу определяет его нишу: входные и последующие каскады малошумящих усилителей в составе СВЧ-приёмных трактов.
Арсенид галлия выбран не случайно: подвижность электронов в GaAs примерно в шесть раз выше, чем в кремнии, а барьер Шоттки на затворе исключает инжекцию неосновных носителей, что кардинально снижает шумы и позволяет работать на частотах, недостижимых для кремниевых биполярных приборов. Малые допустимые напряжения (сток-исток не более 3,5 В, затвор-исток не более 3 В) — типичная черта GaAs MESFET: рабочее поле транзистора узкое, зато крутизна характеристики 10 мА/В при рассеиваемой мощности всего 35 мВт даёт хорошее усиление на единицу потребляемой мощности. Ток утечки затвора порядка 1 мкА — следствие металл-полупроводникового перехода Шоттки: входное сопротивление значительно выше, чем у p-n-затворного JFET, что дополнительно улучшает согласование во входных каскадах.
Основная область применения — малошумящие усилители (МШУ) приёмных систем: наземные станции спутниковой связи и телевизионного вещания (в частности, спутниковый приём на частотах около 12 ГГц), радиолокационные приёмники, системы радиорелейной и тропосферной связи, измерительная аппаратура СВЧ-диапазона. В военной и специальной технике транзисторы серии 3П применялись во входных усилителях бортовых и наземных радаров, а также в гибридных интегральных схемах (ГИС) в составе МШУ-модулей. Корпусировка прибора предполагает монтаж в микрополосковые схемы на подложках из поликора или керамики.
Зарубежные функциональные аналоги того же класса — GaAs MESFET для Ku-диапазона от NEC (серия NE710xx) и HP/Agilent (ATF-10236, диапазон 0,5-12 ГГц). Все они решают ту же задачу: минимальный коэффициент шума при достаточном коэффициенте усиления на частотах 10-15 ГГц. Суффикс -2 в обозначении 3П343А-2 означает бескорпусное исполнение с гибкими выводами на кристаллодержателе — это конструктивный признак кристалла (die), типичный для монтажа в гибридные интегральные схемы.
3П343А-2 — полевой транзистор. Бескорпусное исполнение (кристалл на держателе с гибкими выводами). Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
