Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


3ОТ122 — транзисторная оптопара (на составном транзисторе)


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

3ОТ122 (исполнения 3ОТ122А, 3ОТ122Б, 3ОТ122В, 3ОТ122Г) — транзисторная оптопара на составном транзисторе производства ОАО «ОПТРОН» (Москва). Прибор объединяет меза-эпитаксиальный инфракрасный диодный излучатель и кремниевый планарный составной (составного типа) транзисторный приёмник в одном металлическом корпусе.

Предназначена для коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Составной (дарлингтоновский) выходной транзистор обеспечивает высокий коэффициент передачи, поэтому управление возможно малым входным током (режимы измерения задаются при Iвх = 1 и 5 мА).

Исполнения А, Б, В, Г различаются нормами по выходному остаточному напряжению, току утечки на выходе и режимами измерения (коммутируемое напряжение Uком и выходной ток Iвых).

Технические характеристики

Тип выходасоставной (дарлингтоновский) транзистор
Входное напряжение Uвх (Iвх = 5 мА)1,6 В
Выходное остаточное напряжение Uост (Iвх = 5 мА; Iвых = 15 мА для А, В, Г и 25 мА для Б)1,5 В (А, В, Г); 1,9 В (для исполнения с Uком = 15 В)
Выходное остаточное напряжение Uост (Iвх = 1 мА; Iвых = 1 мА для А, 3 мА для Б, В, Г)1,5 В
Ток утечки на выходе Iут.вых (Uком = 50 В для А, 30 В для Б, 15 В для Г)10 мкА (А, Г); 100 мкА (Б)
Сопротивление изоляции Rиз10⁹ Ом
Температура измерения25 ± 10 °C; 70 ± 3 °C; −60 ± 3 °C
Корпусметаллический

Техническая документация

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Оптоэлектроника879
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Оптоэлектроника»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»