Описание и применение
АОТ174 — транзисторная оптопара с нормированным коэффициентом передачи тока (Кi) производства ЗАО «ПРОТОН» (г. Орёл). Состоит из кристалла инфракрасного AsGaAl-светодиода и кремниевого n-p-n фототранзистора, расположенных в одной плоскости и оптически связанных полусферическим световодом. Такая конструкция обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении напряжения изоляции; внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой.
Назначение — изолированный интерфейс, промышленная автоматика, замена импульсных трансформаторов. Ключевые особенности: предельное Uк-э 60 В, напряжение изоляции 5000 В, коэффициент передачи по току в диапазоне от 50% до 300%.
Прибор выпускается в градациях по Кi: АОТ174А (80-160%), АОТ174Б (130-260%), АОТ174В (200-400%), АОТ174Г (300-600%), АОТ174Д (50-600%). Поставляется в корпусах DIP4 и DIP4SMD (SMD-исполнение обозначается индексом «9»).
Технические характеристики
| Тип выхода | кремниевый n-p-n фототранзистор |
| Входной прямой ток Iвх, макс. | 50 мА (от 60 до 100 °C снижается с коэфф. 0.8 мА/°C) |
| Входной импульсный кратковременный ток Iвх.и, макс. | 1 А |
| Входное обратное напряжение Uвх.обр, макс. | 6 В |
| Входное напряжение Uвх, макс. | 1.5 В |
| Входное импульсное напряжение Uвх.и, макс. | 3 В |
| Выходное напряжение коллектор-эмиттер Uк-э, макс. | 35 В (предельное 60 В) |
| Выходное напряжение эмиттер-коллектор Uэ-к, макс. | 6 В |
| Выходной ток Iвых, макс. | 50 мА |
| Выходное остаточное напряжение Uвых.ост, макс. | 0.2 В (Iвх=20 мА, Iвых=1 мА) |
| Ток утечки на выходе Iут.вых, макс. | 0.1 мкА (Iвх=0, Uвых=20 В) |
| Входной обратный ток Iвх.обр, макс. | 10 мкА (Uвх.обр=4 В) |
| Коэффициент передачи по току Кi | АОТ174А 80-160%; АОТ174Б 130-260%; АОТ174В 200-400%; АОТ174Г 300-600%; АОТ174Д 50-600% (Uвых=5 В, Iвх=5 мА) |
| Напряжение изоляции Uиз (ср. кв.) | 5000 В (1 мин, отн. вл. <50%) |
| Входная рассеиваемая мощность Рвх.рас, макс. | 70 мВт |
| Выходная рассеиваемая мощность Рвых.рас, макс. | 150 мВт (от 35 до 100 °C снижается с коэфф. 1 мВт/°C) |
| Рассеиваемая мощность Ррас, макс. | 200 мВт |
| Время нарастания сигнала при включении tнар, макс. | 18 мкс (Iвх=5 мА, Uвых=2 В, Rн=100 Ом) |
| Время спада сигнала при выключении tсп, макс. | 18 мкс (Iвх=5 мА, Uвых=2 В, Rн=100 Ом) |
| Проходная ёмкость Спр, макс. | 1 пФ (Uиз=0, F=1 МГц) |
| Рабочий диапазон температур Токр | от -45 до 100 °C |
| Температура пайки Тп | 235 °C (расстояние до корпуса не менее 1.5 мм, время пайки 2+0.5 с) |
| Корпус | DIP4 / DIP4SMD |
| ТУ | АДБК.432220.907 ТУ |
Техническая документация
