Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


П216Д — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

Транзисторы П216Д германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Технические характеристики

ОбозначениеП216Д

Пятьдесят вольт с усилением в вилке

П216Д сочетает высшее в серии рабочее напряжение — 50 В по коллектор-базовому переходу и столько же между коллектором и эмиттером при закороченной базе — с двусторонней нормой на усиление: малосигнальный коэффициент передачи тока лежит в пределах 15…30 при Uкэ = 3 В и токе коллектора 2 А. Соседняя высоковольтная буква Г гарантирует лишь 5 без верхнего предела, так что при равном напряжении Д предсказуемее и по раскачке, и по степени насыщения.

Насыщение и обратный ток коллектор-эмиттер

Остаточное напряжение коллектор-эмиттер нормировано не более 0,5 В при токе коллектора 2 А и токе базы 0,3 А — так же, как у букв Б и В, тогда как у П216Г эта графа отсутствует вовсе. Ток коллектор-эмиттер при закороченной базе и напряжении 50 В не превышает 20 мА, то есть в два с половиной раза меньше, чем разрешено литере Г в том же режиме. Обратный ток коллектора — до 2 мА при +20 °C и до 7,5 мА при +70 °C.

Мощность, тепло, эмиттерная цепь

Мощность рассеяния 24 Вт при температуре корпуса до 25 °C и 6 Вт при 70 °C, тепловое сопротивление переход-корпус 2,5 °C/Вт, предельная температура перехода 85 °C. Постоянный ток коллектора — 7,5 А, базы — 0,75 А. Эмиттерный переход держит 15 В обратного напряжения, его обратный ток нормирован в 0,75 мА при +20 °C и 7 мА при +70 °C. Плавающее напряжение эмиттера ограничено половиной вольта при том же напряжении на коллектор-базовом переходе. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой задана при Uкб = 10 В и токе коллектора 0,1 А и в серии не различается.

Ступени усиления внутри серии

Четыре буквы серии — Б, В, Г и Д — нормированы по усилению в одном и том же режиме: Uкэ = 3 В, ток коллектора 2 А. Это позволяет выстроить их в ряд без оговорок: 5 у литеры Г, 10 у Б, 15…30 у Д и 30 у В. Исполнение Д единственное в этом ряду, у которого граница задана с двух сторон, — отсюда его удобство там, где важен не только минимум усиления, но и ограниченный разброс. Исполнения П216 и П216А в этот ряд не встают: их усиление измеряют в других режимах.

Паспортные параметры П216Д

Uкб макс и Uкэ макс при Rбэ = 0, В50
Uэб макс, В15
Iк макс, А7,5
Iб макс, А0,75
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт24
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт6
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), -15...30 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
Iкбо макс при +20 °C, мА2 (Uкб = 50 В)
Iкбо макс при +70 °C, мА7,5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА20 (Rбэ = 0, Uкэ = 50 В)
Uкэ нас, В<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА0,75
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА7
Плавающее напряжение эмиттера, не более, В0,5 (Uкб = 50 В)
Rth переход-корпус, °C/Вт2,5
fгр (ОБ, Uкб = 10 В, Iк = 0,1 А), не менее, кГц100
Тп макс (температура перехода), °C85

Чем П216Д отличается от других исполнений

ПараметрП216АБВГД
Uкб макс и Uкэ макс при Rбэ = 0, В404035355050
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт303024242424
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт7,57,56666
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), ->= 18 (статический, Uкэ = 0,75 В, Iк = 4 А)20...80 (малый сигнал, Uкэ = 5 В, Iк = 1 А)>= 10 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)>= 30 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)>= 5 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)15...30 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
Iкбо макс при +20 °C, мА0,5 (Uкб = 40 В)0,5 (Uкб = 40 В)1,5 (Uкб = 35 В)2 (Uкб = 35 В)2,5 (Uкб = 50 В)2 (Uкб = 50 В)
Iкбо макс при +70 °C, мА4,54,57,57,57,57,5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА40 (Iб = 0, Uкэ = 30 В)40 (Iб = 0, Uкэ = 30 В)20 (Rбэ = 0, Uкэ = 35 В)20 (Rбэ = 0, Uкэ = 35 В)50 (Rбэ = 0, Uкэ = 50 В)20 (Rбэ = 0, Uкэ = 50 В)
Uкэ нас, В<= 0,75 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 0,75 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)—<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА0,40,40,750,750,750,75
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА447777
Плавающее напряжение эмиттера, не более, В0,3 (Uкб = 40 В)0,3 (Uкб = 40 В)0,5 (Uкб = 35 В)0,5 (Uкб = 35 В)0,5 (Uкб = 50 В)0,5 (Uкб = 50 В)
Rth переход-корпус, °C/Вт222,52,52,52,5

Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 527-528, 529
  • Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 371-372
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979, с. 92
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1154. Отечественные полупроводниковые приборы и зарубежные аналоги
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 638. Транзисторы, 1968, с. 26
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 824. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1974, с. 342
  • Электронные компоненты и системы (выписка из ТУ)

Расхождения в источниках

Ниже — параметры, по которым печатные справочники расходятся между собой. Это не опечатки: значения сверены по нескольким изданиям и прочитаны со сканов. Мы приводим обе версии со ссылками, чтобы вы могли сверить со своим справочником и проверить деталь измерением.

  • П216Б, Uкб/Uкэ макс. 35 В (Аронов с.528 глазами, МРБ-1002 с.92 глазами, Горюнов-1976 с.371, МРБ-1154) против 30 В (МРБ-824 с.342). Взято 35 В.
  • П216Г, Uкэ нас. Не нормировано: в перечне «0,5 В» у Аронова стоят П216Б, П216В, П216Д, П217В — П216Г отсутствует, и в МРБ-1002 с.92 его графа тоже пуста. Оставлено пустым намеренно (совпадение двух источников на факте отсутствия).
  • П216Г, начальный ток коллектора — расхождения НЕТ. Прежняя версия писала, что Горюнов-1976 даёт обобщённые 20 мА на все шесть типов. Рендер с.372 (глазами) показывает строку «Начальный ток коллектора при Uкэ макс и Rб = 0 не более 20 мА» СО СНОСКОЙ¹ «Для П216Г 50 мА». Горюнов и Аронов согласны: 50 мА.
  • Кем какая литера описана. Горюнов-1976 содержит раздел «П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г» (заголовок с.371 и оглавление с.10 прочитаны глазами) — П216 и П216А в этой книге НЕТ. Их данные опираются на Аронова-1985 с.527-529 (глазами), МРБ-1002 с.92 (глазами), МРБ-1144 с.114 (глазами), МРБ-879 строки 719-720 и Нефёдова-1978 с.112 (глазами).
  • Независимая перепроверка П216 (2026-09-02). h21э П216 = 18 подтверждён третий раз: графа 15 строки 827 в МРБ-1002 с.92 читается «(18)» при 300 dpi. Pк 30/30/24/24/24/24 и Uкб 40/40/35/35/50/50 независимо подтверждены Нефёдовым-1978 с.112 и МРБ-1144 с.114 (обе прочитаны глазами). Версия МРБ-824 с 30 В у П216Б остаётся отвергнутой — против неё уже пять книг.

Внешний вид

П216Д

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»