Транзисторы П216А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Технические характеристики
Обозначение
П216А
Окно усиления 20…80
П216А — исполнение с двусторонней нормой на коэффициент передачи тока: от 20 до 80, малый сигнал, Uкэ = 5 В, ток коллектора 1 А. Верхняя граница здесь важна не меньше нижней. Для двухтактного каскада, где плечи стараются подобрать похожими, ограниченный сверху разброс означает меньше отбраковки; для ключа он же означает предсказуемую степень насыщения при фиксированном базовом токе. Ни у одной другой буквы серии окно усиления не задано в этих границах: у Д это 15…30, у Б, В и Г нормирована только нижняя планка.
Мощность и напряжения
По предельным величинам исполнение полностью повторяет базовый тип: 40 В коллектор-база и столько же коллектор-эмиттер при закороченной базе, 30 В при оборванной базе, 15 В обратного напряжения на эмиттерном переходе, 7,5 А постоянного тока коллектора и 0,75 А базы. Рассеиваемая мощность — 30 Вт при температуре корпуса до 25 °C и 7,5 Вт при 70 °C. Тепловое сопротивление переход-корпус 2 °C/Вт — наименьшее в серии наравне с П216, у прочих букв 2,5 °C/Вт.
Утечки и остаточное напряжение
Обратный ток коллектора нормирован в 0,5 мА при +20 °C и 4,5 мА при +70 °C, напряжение 40 В. Обратный ток эмиттера при 15 В — 0,4 мА в холодной точке и 4 мА в горячей. Ток коллектор-эмиттер при оборванной базе и 30 В — до 40 мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более 0,75 В при токе коллектора 4 А и токе базы 0,5 А; напряжение насыщения база-эмиттер для этой буквы, в отличие от исполнения без буквы, не нормировано. Плавающее напряжение эмиттера при 40 В — до 0,3 В, температура перехода до 85 °C.
Отличие от исполнения без буквы
П216 и П216А делят всю верхнюю группу серии — напряжения, мощность, тепловое сопротивление, утечки, — и различаются ровно двумя строками. У исполнения без буквы усиление приведено как статическое на токе 4 А и дополнительно нормировано напряжение насыщения база-эмиттер; у буквы А усиление малосигнальное с верхней и нижней границей, а норма на базовое насыщение отсутствует. Первое удобнее для расчёта раскачки мощного каскада, второе — для подбора приборов с близкими характеристиками.
Паспортные параметры П216А
Uкб макс и Uкэ макс при Rбэ = 0, В
40
Uкэ макс при Iб = 0, В
30
Uэб макс, В
15
Iк макс, А
7,5
Iб макс, А
0,75
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт
30
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт
7,5
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), -
20...80 (малый сигнал, Uкэ = 5 В, Iк = 1 А)
Iкбо макс при +20 °C, мА
0,5 (Uкб = 40 В)
Iкбо макс при +70 °C, мА
4,5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА
40 (Iб = 0, Uкэ = 30 В)
Uкэ нас, В
<= 0,75 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА
0,4
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА
4
Плавающее напряжение эмиттера, не более, В
0,3 (Uкб = 40 В)
Rth переход-корпус, °C/Вт
2
fгр (ОБ, Uкб = 10 В, Iк = 0,1 А), не менее, кГц
100
Тп макс (температура перехода), °C
85
Чем П216А отличается от других исполнений
Параметр
П216
А
Б
В
Г
Д
Uкб макс и Uкэ макс при Rбэ = 0, В
40
40
35
35
50
50
Pк макс при Тк <= 25 °C, Вт
30
30
24
24
24
24
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт
7,5
7,5
6
6
6
6
h21э (коэффициент передачи тока, ОЭ), -
>= 18 (статический, Uкэ = 0,75 В, Iк = 4 А)
20...80 (малый сигнал, Uкэ = 5 В, Iк = 1 А)
>= 10 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
>= 30 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
>= 5 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
15...30 (малый сигнал, Uкэ = 3 В, Iк = 2 А)
Iкбо макс при +20 °C, мА
0,5 (Uкб = 40 В)
0,5 (Uкб = 40 В)
1,5 (Uкб = 35 В)
2 (Uкб = 35 В)
2,5 (Uкб = 50 В)
2 (Uкб = 50 В)
Iкбо макс при +70 °C, мА
4,5
4,5
7,5
7,5
7,5
7,5
Iкэ макс (обратный ток коллектор-эмиттер), мА
40 (Iб = 0, Uкэ = 30 В)
40 (Iб = 0, Uкэ = 30 В)
20 (Rбэ = 0, Uкэ = 35 В)
20 (Rбэ = 0, Uкэ = 35 В)
50 (Rбэ = 0, Uкэ = 50 В)
20 (Rбэ = 0, Uкэ = 50 В)
Uкэ нас, В
<= 0,75 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)
<= 0,75 (Iк = 4 А, Iб = 0,5 А)
<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
—
<= 0,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +20 °C, мА
0,4
0,4
0,75
0,75
0,75
0,75
Iэбо макс при Uэб = 15 В, +70 °C, мА
4
4
7
7
7
7
Плавающее напряжение эмиттера, не более, В
0,3 (Uкб = 40 В)
0,3 (Uкб = 40 В)
0,5 (Uкб = 35 В)
0,5 (Uкб = 35 В)
0,5 (Uкб = 50 В)
0,5 (Uкб = 50 В)
Rth переход-корпус, °C/Вт
2
2
2,5
2,5
2,5
2,5
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 527-528, 529
Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 371-372
Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979, с. 92
Массовая радиобиблиотека, вып. 1154. Отечественные полупроводниковые приборы и зарубежные аналоги
Массовая радиобиблиотека, вып. 638. Транзисторы, 1968, с. 26
Массовая радиобиблиотека, вып. 824. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1974, с. 342
Электронные компоненты и системы (выписка из ТУ)
Расхождения в источниках
Ниже — параметры, по которым печатные справочники расходятся между собой. Это не опечатки: значения сверены по нескольким изданиям и прочитаны со сканов. Мы приводим обе версии со ссылками, чтобы вы могли сверить со своим справочником и проверить деталь измерением.
П216Б, Uкб/Uкэ макс. 35 В (Аронов с.528 глазами, МРБ-1002 с.92 глазами, Горюнов-1976 с.371, МРБ-1154) против 30 В (МРБ-824 с.342). Взято 35 В.
П216Г, Uкэ нас. Не нормировано: в перечне «0,5 В» у Аронова стоят П216Б, П216В, П216Д, П217В — П216Г отсутствует, и в МРБ-1002 с.92 его графа тоже пуста. Оставлено пустым намеренно (совпадение двух источников на факте отсутствия).
П216Г, начальный ток коллектора — расхождения НЕТ. Прежняя версия писала, что Горюнов-1976 даёт обобщённые 20 мА на все шесть типов. Рендер с.372 (глазами) показывает строку «Начальный ток коллектора при Uкэ макс и Rб = 0 не более 20 мА» СО СНОСКОЙ¹ «Для П216Г 50 мА». Горюнов и Аронов согласны: 50 мА.
Кем какая литера описана. Горюнов-1976 содержит раздел «П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217В, П217Г» (заголовок с.371 и оглавление с.10 прочитаны глазами) — П216 и П216А в этой книге НЕТ. Их данные опираются на Аронова-1985 с.527-529 (глазами), МРБ-1002 с.92 (глазами), МРБ-1144 с.114 (глазами), МРБ-879 строки 719-720 и Нефёдова-1978 с.112 (глазами).
Независимая перепроверка П216 (2026-09-02). h21э П216 = 18 подтверждён третий раз: графа 15 строки 827 в МРБ-1002 с.92 читается «(18)» при 300 dpi. Pк 30/30/24/24/24/24 и Uкб 40/40/35/35/50/50 независимо подтверждены Нефёдовым-1978 с.112 и МРБ-1144 с.114 (обе прочитаны глазами). Версия МРБ-824 с 30 В у П216Б остаётся отвергнутой — против неё уже пять книг.
