Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


П214А — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Технические характеристики

ОбозначениеП214А
Зарубежный аналогAD263

Высокоусилительная литера серии

Отличие П214А от остальных исполнений сосредоточено в одной графе: коэффициент передачи тока задан вилкой 50…150 при Uкэ = 5 В и токе коллектора 0,2 А. Нижняя граница здесь выше, чем у любой другой буквы серии, — прибор отобран именно по усилению. Для выходного каскада это означает меньший требуемый ток раскачки, а для составного включения — более скромный предвыходной транзистор.

Режимы и ограничения

Предельные напряжения совпадают с базовым типом: 60 В коллектор-база, 55 В коллектор-эмиттер при базовом резисторе не более 50 Ом, 45 В при оборванной базе, 15 В обратного напряжения на эмиттерном переходе. Постоянный ток коллектора 5 А, базы 0,5 А. Рассеиваемая мощность 10 Вт при корпусе до 45 °C и 3,75 Вт при 70 °C; тепловое сопротивление переход-корпус 4 °C/Вт. Заметьте, что повышенное усиление не сопровождается никакой прибавкой по мощности или напряжению — отбор шёл по одному параметру, остальное осталось общесерийным.

Утечки и насыщение

Обратный ток коллектора не более 0,3 мА при +20 °C и не более 2,5 мА при +70 °C, оба значения при 60 В. Обратный ток эмиттера при 15 В нормирован так же. На оборванной базе при 45 В через прибор течёт не более 30 мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не превышает 0,9 В при токе коллектора 3 А, база-эмиттер — 1,2 В при 2,5 А. Плавающее напряжение эмиттера в горячей точке — до 0,3 В, предельная температура перехода 85 °C.

Что учесть при подборе

Если из платы выпаян именно П214А, ставить вместо него исполнение с нижней границей усиления 20 можно только там, где каскад охвачен обратной связью и к абсолютной величине коэффициента передачи нечувствителен. Обратная замена — П214А вместо низкоусилительной буквы — безопаснее по режимам, но может изменить рабочую точку, если смещение задано фиксированным базовым током.

Паспортные параметры П214А

Uкб макс, В60
Uкэ макс при Rбэ <= 50 Ом, В55
Uкэ макс при Iб = 0, В45
Uэб макс, В15
Iк макс, А5
Iб макс, А0,5
Pк макс при Тк <= 45 °C, Вт10
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт3,75
h21э (статический коэф. передачи тока, ОЭ; Uкэ = 5 В, Iк = 0,2 А), -50...150
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 60 В), мА0,3
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 60 В), мА2,5
Uкэ нас, В<= 0,9 (Iк = 3 А, Iб = 0,37 А)
Uбэ нас (Iк = 2,5 А, Iб = 0,37 А), В<= 1,2
Iэбо макс при +20 °C, мА0,3 (Uэб = 15 В)
Iэбо макс при +70 °C, мА2,5
Iкэо макс при Iб = 0, мА30 (Uкэ = 45 В)
Плавающее напряжение эмиттера при +70 °C, Uкб = 60 В, не более, В0,3
Rth переход-корпус, °C/Вт4
fгр (ОБ, Uкб = 10 В, Iк = 100 мА), не менее, кГц150
Тп макс (температура перехода), °C85

Чем П214А отличается от других исполнений

ПараметрП214АБВГ
Uэб макс, В1515151010
Pк макс при Тк <= 45 °C, Вт101011,51010
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт3,753,754,33,753,75
h21э (статический коэф. передачи тока, ОЭ; Uкэ = 5 В, Iк = 0,2 А), -20...6050...15020...150>= 20не нормирован — задана крутизна S21 = 1,4...2,1 А/В (Uкэ = 28 В, Rн = 36 Ом, f = 270 Гц)
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 60 В), мА0,30,30,151,51,5
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 60 В), мА2,52,52,05,05,0
Uкэ нас, В<= 0,9 (Iк = 3 А, Iб = 0,37 А)<= 0,9 (Iк = 3 А, Iб = 0,37 А)<= 0,9 (Iк = 3 А, Iб = 0,37 А)<= 2,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)<= 2,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
Uбэ нас (Iк = 2,5 А, Iб = 0,37 А), В<= 1,2<= 1,20,6...0,9
Iэбо макс при +20 °C, мА0,3 (Uэб = 15 В)0,3 (Uэб = 15 В)0,3 (Uэб = 15 В)0,4 (Uэб = 10 В)0,4 (Uэб = 10 В)
Iэбо макс при +70 °C, мА2,52,5255
Iкэо макс при Iб = 0, мА30 (Uкэ = 45 В)30 (Uкэ = 45 В)30 (Uкэ = 45 В)30 (Uкэ = 55 В)30 (Uкэ = 55 В)
Плавающее напряжение эмиттера при +70 °C, Uкб = 60 В, не более, В0,30,30,30,50,5
Rth переход-корпус, °C/Вт443,544

Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):

  • Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 523, 524, 525, 526
  • Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 370, 371
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1002. Транзисторы, 1979, с. 92
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1144. Григорьев В. А. Транзисторы, 1988, с. 114
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 1190. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры: диоды, транзисторы, с. 46
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 548. Мощные низкочастотные транзисторы, с. 19, 20, 21
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 824. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1974, с. 342
  • Массовая радиобиблиотека, вып. 879. Транзисторы, 1975
  • Нефёдов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы и зарубежные аналоги. — 1978, с. 112
  • Электронные компоненты и системы (выписка из ТУ)

Расхождения в источниках

Ниже — параметры, по которым печатные справочники расходятся между собой. Это не опечатки: значения сверены по нескольким изданиям и прочитаны со сканов. Мы приводим обе версии со ссылками, чтобы вы могли сверить со своим справочником и проверить деталь измерением.

  • П214, h21э. 20...60 (Аронов с.523, прочитано глазами по рендеру + eandc-PDF) против 20...50 (МРБ-824 с.342). Взято 20...60.
  • П214Б, Pк макс. 11,5 Вт (Аронов с.525 глазами, Горюнов-1976 с.371, МРБ-1190 с.46, МРБ-548 сноска) против 10 Вт (МРБ-638 табл.7, где П214, П214А и П214Б стоят одной строкой). Взято 11,5 Вт.
  • П214Г, h21э. У Аронова и в МРБ-1002 h21э для П214Г не нормирован — вместо него задана крутизна 1,4...2,1 А/В. МРБ-548 (1965) с.21 даёт B >= 20. Занесено как «не нормирован», значение 1965 г. упомянуто здесь.
  • П214А, Uкэ макс при Iб = 0 — ДОБАВЛЕНО 45 В. Прежняя версия считала параметр ненормированным, ссылаясь на список Аронова с.525 («П214, П214Б ... 45 В»). Горюнов-1976 с.371 (глазами) перечисляет «для П214, П214А, П214Б — 45 В», МРБ-879 строка 688 (глазами) даёт у П214А «[55]/(45)». Пропуск у Аронова, а не отсутствие нормы. Для П214В и П214Г параметр действительно не нормирован (у них Uкэ при Rбэ=50 Ом = 55 В).
  • Независимая перепроверка П214 (2026-09-02). h21э 20—60 у П214, 50—150 у П214А, 20—150 у П214Б, ≥20 у П214В и крутизна 1,4—2,1 А/В при Rн = 36 Ом у П214Г перечитаны глазами по рендеру Аронова с.523 — подтвердились дословно. Pк 11,5 Вт у П214Б независимо подтверждён Нефёдовым-1978 с.112 (глазами) и сноской Горюнова-1976 с.371 (глазами); версия МРБ-638 с 10 Вт остаётся отвергнутой.

Внешний вид

П214А

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»