Средняя буква ряда
КТ815Б — n-p-n транзистор на полтора ампера, второй по напряжению в своей серии: таблица отводит ему 50 В коллектор-эмиттер при базовом резисторе 100 Ом. Коэффициент передачи тока нормирован снизу величиной 40 при 150 мА в коллекторе, то есть по усилению это старшая группа ряда.
Крайним Б оказывается лишь по одной графе — по усилению, где он вместе с А и В держит старшую из двух групп. По напряжению же он второй снизу из четырёх и ни к одному краю ряда не прижат. Отсюда и привычка ставить эту букву, когда схема особых требований не предъявляет, а нужен просто рабочий прибор на такой ток.
Полсотни вольт на практике
Пятьдесят вольт закрывают большинство низковольтных питаний вместе с переходными процессами умеренной величины. Если известно, что на закрытом приборе никогда не окажется больше, деталь ставят не задумываясь: прочие строки таблицы у всей серии общие, и никакого скрытого ухудшения при переходе с младшей буквы не происходит.
Ситуация, в которой Б следует заменить, по сути одна — коммутация индуктивной нагрузки без цепи гашения. Там напряжение на транзисторе определяется не источником, а энергией, запасённой в обмотке, и надёжнее взять исполнение с большим пределом.
Открытое и закрытое состояния
В насыщении падение составляет 0.6 В при коллекторном токе 0.5 А и базовом 0.05 А. Отношение токов десять к одному — это и есть условие, при котором цифра гарантирована; при меньшей раскачке падение окажется больше, а нагрев сильнее. Предельные токи: 1.5 А по коллектору постоянно, 3 А в насыщении, 0.5 А по базе.
Закрытое состояние держится теми самыми пятьюдесятью вольтами при ста омах в базе, а обратное напряжение эмиттерного перехода ограничено пятью вольтами. Обе оговорки относятся к цепи управления, а не к выходной, и забывают о них чаще всего.
Тепловой расчёт и замены
Мощность приведена парой чисел: 1 Вт сам по себе и 10 Вт при теплоотводе, тепловое сопротивление переход-корпус 10 °C/Вт. Проверять надо не паспортный максимум, а произведение тока на напряжение в реальном режиме — в линейном каскаде на середине питания прибор рассеивает многократно больше, чем в ключевом на тех же токах.
Внутри серии Б заменяется на В без каких-либо пересчётов и на Г — с поправкой на пониженную границу усиления. Движение к КТ815А допустимо, только если максимальное напряжение на закрытом транзисторе точно не превысит 40 В. Таблица всех исполнений — на странице серии КТ815.
Технические характеристики
| Обозначение | КТ815Б |
| Структура | n-p-n |
| h21э: B1-B2 / Iк | 40-/0.15 |
| fгр, МГц | 3 |
| Cк / Uк, пФ/В | 60/5 |
| Cэ / Uэб, пФ/В | 75/5 |
| Uкэ нас / (Iк/Iб) | 0.6(0.5/0.05) |
| Uкэ / R | 50/100 |
| Uэб max, В | 5 |
| Iк max / Iк нас | 1.5/3 |
| Iб max, А | 0.5 |
| Pк / Pт, Вт | 1/10 |
| Rт п-к, °C/Вт | 10 |
Исполнения серии КТ815
| Исполнение | h21э: B1-B2 / Iк | Uкэ / R |
| А | 40-/0.15 | 40/100 |
| Б | 40-/0.15 | 50/100 |
| В | 40-/0.15 | 70/100 |
| Г | 30-/0.15 | 100/100 |
Внешний вид
КТ815 — все исполнения серии