Транзистор входных каскадов
2Т3130Е9 — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор структуры n-p-n, усилительный, для входных каскадов. Буква «Е» — группа отбора, цифра «9» — конструктивное исполнение корпуса.
Родственная задача у 2Т368А9, но там прибор универсальный, годный и для последующих каскадов; здесь назначение названо узко.
По чему сортируют такие транзисторы на группы
У усилительных транзисторов буквенные группы почти всегда означают коэффициент передачи тока базы — величину, разброс которой у полупроводникового производства принципиально велик. Три-четыре раза между экземплярами одной партии — норма, а не брак.
Отсюда два следствия, и оба практических.
Первое: схему нужно проектировать так, чтобы разброс не имел значения. Рабочая точка задаётся делителем в базе и резистором в эмиттере — тогда ток коллектора определяется ими, а не коэффициентом передачи. Схема с фиксированным током базы, где точка прямо зависит от усиления, работоспособна только с подбором.
Второе: группа важна там, где усиление всё-таки входит в результат напрямую, — в дифференциальных каскадах, где важно согласование двух приборов, и во входных каскадах с высокоомным источником, где входной ток базы создаёт ошибку.
Описание и применение
Транзисторы 2Т3130Е9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т3130Е9 |
| Зарубежный аналог | 2SD1161 |
Внешний вид
Все исполнения серии: КТ3130
