Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


П215 — транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Технические характеристики

ОбозначениеП215
Зарубежный аналог2N2660

Восемьдесят вольт и ни одной буквы

П215 — германиевый сплавный транзистор структуры p-n-p, универсальный низкочастотный мощный. В группе, куда входят П213, П213А, П213Б, П214 и его буквы, он самый высоковольтный: только у него допустимое напряжение коллектор-база доведено до 80 В. Назначение указано прямо — схемы переключения, выходные каскады усилителей низкой частоты и преобразователи постоянного напряжения. Буквенных исполнений у прибора нет: во всех четырёх просмотренных справочниках это одиночный тип. В табличных изданиях 1975 и 1979 годов строка напечатана как «П215*», и звёздочка означает не литеру, а класс применения — прибор для устройств с пониженными эксплуатационными характеристиками; тем же знаком там помечены П213 и П214.

Что разрешено по напряжению и току

Между коллектором и эмиттером при базовом резисторе не более 50 Ом допускается 70 В, при оборванной базе — 60 В. Эмиттерный переход держит 15 В обратного напряжения. Постоянный ток коллектора — 5 А, базы — 0,5 А. Мощность рассеяния нормирована в двух точках: 10 Вт при температуре корпуса до 45 °C и 3,75 Вт при 70 °C. Тепловое сопротивление переход-корпус 4 °C/Вт, предельная температура перехода 85 °C, рабочий диапазон температуры окружающей среды от −60 до +70 °C.

Усиление и остаточные напряжения

Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером задан широкой вилкой 20…150 при Uкэ = 5 В и токе коллектора 0,2 А. Разброс более чем семикратный означает, что подбирать рабочую точку по номинальному усилению бессмысленно — нужна стабилизация смещения. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не превышает 0,9 В при токе коллектора 3 А и токе базы 0,37 А, напряжение насыщения база-эмиттер — 1,2 В при токе коллектора 2,5 А. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой нормирована по нижней границе при Uкб = 10 В и токе коллектора 100 мА.

Утечки, механика, монтаж

Обратный ток коллектора при полном напряжении 80 В не превышает 0,3 мА при +20 °C и 2,5 мА при +70 °C; обратный ток эмиттера при 15 В имеет ровно те же нормы. Ток коллектор-эмиттер при оборванной базе и напряжении 60 В допускается до 30 мА. Плавающее напряжение эмиттера в горячей точке — не более 0,3 В. Корпус металлостеклянный с жёсткими выводами; масса самого транзистора не более 12,5 г, крепёжного фланца — не более 4,5 г. При эксплуатации прибор жёстко крепится накидным фланцем к металлическому шасси или к шлифованному теплоотводу, а контактирующие поверхности рекомендуется смазывать маслом — без этого паспортное тепловое сопротивление не реализуется.

Паспортные параметры П215

Uкб макс (постоянное напряжение коллектор-база), В80
Uкэ макс при Rбэ ≤ 50 Ом, В70
Uкэ макс при Iб = 0, В60
Uэб макс (постоянное напряжение эмиттер-база), В15
Iк макс (постоянный ток коллектора), А5
Iб макс (постоянный ток базы), А0,5
Pк макс с теплоотводом при температуре корпуса ≤ 45 °C, Вт10
Pк макс с теплоотводом при температуре корпуса 70 °C, Вт3,75
h21э (статический коэффициент передачи тока, схема ОЭ) при Uкэ = 5 В, Iк = 0,2 А, —20…150
Uкэ нас (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) при Iк = 3 А, Iб = 0,37 А, не более, В0,9
Uбэ нас (напряжение насыщения база-эмиттер) при Iк = 2,5 А, Iб = 0,37 А, не более, В1,2
fгр (граничная частота коэффициента передачи тока, схема ОБ) при Uкб = 10 В, Iк = 100 мА, не менее, кГц150
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 80 В и +20 °C, не более, мА0,3
Iкб0 (обратный ток коллектора) при Uкб = 80 В и +70 °C, не более, мА2,5
Iкэ0 (обратный ток коллектор-эмиттер) при Iб = 0 и Uкэ = 60 В, не более, мА30
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 15 В и +20 °C, не более, мА0,3
Iэб0 (обратный ток эмиттера) при Uэб = 15 В и +70 °C, не более, мА2,5
Плавающее напряжение эмиттера при Uкб = 80 В и +70 °C, не более, В0,3
Rт п-к (тепловое сопротивление переход-корпус), °C/Вт4
Тп макс (максимальная температура перехода), °C85
Диапазон температуры окружающей среды, °C−60 … +70
Масса транзистора, не более, г12,5

Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):

  • Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы (справочник под ред. Горюнова), 1976 г., с.370 (текстовый слой книги)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.523 (глазами)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.523 (глазами; масса крепёжного фланца отдельно — не более 4,5 г)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.524 (глазами)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.524 (глазами; там 293 К)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.524 (глазами; там 343 К)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.525 (глазами)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.525 (глазами; 358 К)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.525 (глазами; 4 К/Вт)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.525 (глазами; от 213 К до Тк = 343 К)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.525 (глазами; там 318 К)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы (справочник под ред. Горюнова), издание 1985 г., с.525 (глазами; там 343 К)
  • Полупроводниковые приборы: транзисторы средней и большой мощности (справочник под ред. Голомедова), 1989 г., с.161—162 (глазами, независимая перепроверка)
  • Справочник по полупроводниковым приборам (Москатов)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.90 (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.90 — (10) Вт при температуре корпуса 45 °C (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.90 — (4) (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.90 — −60 ÷ +70 (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.90, строка 799 (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.90, строка 799 — значение (60) (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.90, строка 799 — значение [70] в графе UкэR max (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.91 — (1,2) В при Iк = 2,5 А (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.91 — 0,15 МГц (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.91 — 0,9 В при Iк = 3 А (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1002), 1979 г., с.91, строка 799 (глазами; тот же режим)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.114 (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.114 — (10) Вт при Тк = 45 °C (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.114 — Тк max 70 °C (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.114 — значение (60) в графе Uкэ0 гр (Uкэ0 max) (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.114, графа Uкб0 max (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.115 (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.115 (глазами; тот же режим Uкэ = 5 В, Iк = 0,2 А)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.115 — (30) мА в графе Iкб0 (Iкэ0) (глазами)
  • Транзисторы: справочник (Массовая радиобиблиотека, вып. 1144), 1989 г., с.115 — 0,15 МГц (глазами)

Внешний вид

П215

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»