П213 — германиевый мощный p-n-p транзистор серии П213…П217
Место в серии П213…П217
П213 — германиевый сплавной мощный p-n-p транзистор, близкий родственник П214: та же серия П213, П214, П215, П216, П217, тот же конструктив корпуса, то же основное применение — выходные каскады усилителей низкой частоты. Главное отличие П213 от П214 и остальных приборов серии — класс по допустимому напряжению: внутри этой линейки номер растёт вместе с предельным рабочим напряжением, и П213 занимает нижнюю ступень, П214 — на ступень выше. Корпус, область применения и порядок значений тока и мощности у всех номиналов серии практически совпадают, различается прежде всего напряжение и, у части номиналов, группировка по коэффициенту передачи тока. Прямого зарубежного аналога у П213 в базе нет — замену подбирают среди германиевых мощных p-n-p транзисторов той же серии П213…П217.
Где применяется
Как и остальные транзисторы серии, П213 применялся в выходных каскадах двухтактных усилителей низкой частоты, а также в силовых ключах и простых стабилизаторах. Подробности о двухтактном каскаде на германиевых транзисторах, его тепловом режиме и особенностях звучания — на странице П214, здесь эта тема не повторяется.
Чем П213 отличается от П214? В первую очередь классом по допустимому напряжению — П213 рассчитан на меньшее напряжение, чем П214. Корпус, назначение и порядок остальных параметров у обоих приборов практически одинаковые.
Взаимозаменяемы ли П213 и П214? Чаще всего да, но однонаправленно: П214 можно поставить на место П213 — у него запас по напряжению больше. Обратная замена оправдана, только если реальное напряжение в схеме не выходит за рамки, рассчитанные на П213.
Внешний вид и цоколёвка
Технические характеристики
Структура
германий, p-n-p, сплавной переход
Класс прибора
мощный, низкочастотный
Место в серии по напряжению
нижняя ступень — ниже, чем у П214
Корпус
металлический, с крепёжным фланцем под теплоотвод
Типовое применение
выходные каскады УНЧ, силовые ключи
Аналог
прямого зарубежного нет — замена внутри серии П213…П217
Точные предельные значения — напряжение, ток, рассеиваемая мощность — отличаются у каждого номинала серии, для конкретной схемы их стоит сверять по паспорту прибора.
См. также
П214 (полное описание серии и выходных каскадов УНЧ), МП38, МП42Б.
Тип без буквы оказался лучшим в тройке
Случай нечастый: в тройке П213 — П213А — П213Б лучшие цифры собраны у исполнения без буквы. Оно допускает 40 В между коллектором и эмиттером при базовом резисторе до 50 Ом (у букв А и Б — 30 В), держит на эмиттерном переходе 15 В обратного напряжения вместо 10 В и рассеивает 11,5 Вт при температуре корпуса до 45 °C против 10 Вт у соседей. При 70 °C разрешённая мощность падает до 4,3 Вт — тоже больше, чем у А и Б. Предельное напряжение коллектор-база у всей тройки одно, 45 В; при оборванной базе допускается 30 В коллектор-эмиттер.
Токи и тепловой расчёт
Постоянный ток коллектора нормирован в 5 А, ток базы — в 0,5 А, то есть отношение предельных токов заложено десятикратное. Тепловое сопротивление переход-корпус 3,5 °C/Вт — наименьшее в тройке, у обеих букв оно составляет 4 °C/Вт. Разница в полградуса на ватт выглядит мелочью, но при рассеянии около десяти ватт это уже пять градусов на переходе, а потолок температуры перехода общий и равен 85 °C. Именно из меньшего теплового сопротивления и вытекает более высокая паспортная мощность этого исполнения.
Насыщение — половина вольта
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер задано не более 0,5 В при токе коллектора 3 А и токе базы 0,37 А, напряжение насыщения база-эмиттер в близком режиме — не более 0,75 В. Для сравнения: у П213Б насыщение нормировано величиной 2,5 В, пусть и в другом режиме измерения. Коэффициент передачи тока у П213 задан вилкой 20…50, снятой при Uкэ = 5 В и токе коллектора 1 А. Режим измерения здесь свой, отличный от букв, где усиление меряют на 0,2 А, так что прямое сравнение чисел усиления по тройке некорректно.
Обратные токи
По утечкам исполнение тоже впереди: обратный ток коллектора не более 0,15 мА при +20 °C и не более 2 мА при +70 °C (напряжение 45 В в обеих точках). У букв А и Б в холодной точке разрешён целый миллиампер, то есть почти в семь раз больше. Обратный ток эмиттера — до 0,3 мА при 15 В и до 2 мА в горячей точке. Обратный ток коллектор-эмиттер при оборванной базе и 30 В нормирован в 20 мА. Плавающее напряжение эмиттера при +70 °C и Uкб = 45 В — не более 0,3 В. Все цифры взяты из печатных справочников и сверены между изданиями.
Паспортные параметры П213
Uкб макс, В
45
Uкэ макс при Rбэ <= 50 Ом, В
40
Uкэ макс при Iб = 0, В
30
Uэб макс, В
15
Iк макс, А
5
Iб макс, А
0,5
Pк макс при Тк <= 45 °C, Вт
11,5
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт
4,3
h21э (статический коэф. передачи тока, ОЭ), -
20...50 (Uкэ = 5 В, Iк = 1,0 А)
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 45 В), мА
0,15
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 45 В), мА
2,0
Uкэ нас, В
<= 0,5 (Iк = 3 А, Iб = 0,37 А)
Uбэ нас (Iк = 2,5 А, Iб = 0,37 А), В
<= 0,75
Iэбо макс при +20 °C, мА
0,3 (Uэб = 15 В)
Iэбо макс при +70 °C, мА
2
Iкэо макс при Iб = 0, Uкэ = 30 В, мА
20
Плавающее напряжение эмиттера при +70 °C, Uкб = 45 В, не более, В
0,3
Rth переход-корпус, °C/Вт
3,5
fгр (ОБ, Uкб = 10 В, Iк = 100 мА), не менее, кГц
150
Тп макс (температура перехода), °C
85
Чем П213 отличается от других исполнений
Параметр
П213
А
Б
Uкэ макс при Rбэ <= 50 Ом, В
40
30
30
Uэб макс, В
15
10
10
Pк макс при Тк <= 45 °C, Вт
11,5
10
10
Pк макс при Тк = 70 °C, Вт
4,3
3,75
3,75
h21э (статический коэф. передачи тока, ОЭ), -
20...50 (Uкэ = 5 В, Iк = 1,0 А)
>= 20 (Uкэ = 5 В, Iк = 0,2 А)
>= 40 (Uкэ = 5 В, Iк = 0,2 А)
Iкбо макс при +20 °C (Uкб = 45 В), мА
0,15
1,0
1,0
Iкбо макс при +70 °C (Uкб = 45 В), мА
2,0
4,5
4,5
Uкэ нас, В
<= 0,5 (Iк = 3 А, Iб = 0,37 А)
—
<= 2,5 (Iк = 2 А, Iб = 0,3 А)
Iэбо макс при +20 °C, мА
0,3 (Uэб = 15 В)
0,4 (Uэб = 10 В)
0,4 (Uэб = 10 В)
Iэбо макс при +70 °C, мА
2
4,5
4,5
Плавающее напряжение эмиттера при +70 °C, Uкб = 45 В, не более, В
0,3
0,5
0,5
Rth переход-корпус, °C/Вт
3,5
4
4
Источники параметров (значения сверены между изданиями; спорные и расходящиеся не публикуются):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 523, 524, 525
Горюнов Н. Н. (ред.). Полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы, интегральные схемы. — М.: Энергия, 1976, с. 370, 371
Массовая радиобиблиотека, вып. 1190. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры: диоды, транзисторы, с. 46
Массовая радиобиблиотека, вып. 638. Транзисторы, 1968, с. 26
Массовая радиобиблиотека, вып. 824. Справочник радиолюбителя-конструктора, 1974, с. 342
Нефёдов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы и зарубежные аналоги. — 1978, с. 112
Электронные компоненты и системы (выписка из ТУ)
Расхождения в источниках
Ниже — параметры, по которым печатные справочники расходятся между собой. Это не опечатки: значения сверены по нескольким изданиям и прочитаны со сканов. Мы приводим обе версии со ссылками, чтобы вы могли сверить со своим справочником и проверить деталь измерением.
П213, режим измерения h21э = 20...50. Аронов с.523 (глазами): «П213 при Iк = 1,0 А» (то есть Uкэ = 5 В, Iк = 1,0 А). МРБ-824 с.342 приписывает тому же диапазону режим (5 В; 0,2 А). Значение 20...50 совпадает, спорен только режим.
Независимая перепроверка П213 (2026-09-02). Расхождений не найдено. Все различающиеся по литерам величины перечитаны глазами по рендерам: Аронов-1985 с.523, 524, 525; Горюнов-1976 с.371; МРБ-879 строки 685, 686, 692; Нефёдов-1978 с.112. Заголовок раздела Горюнова «П213, П213А, П213Б, П214...» (глазами) и алфавитные указатели МРБ-1002, МРБ-879, МРБ-1144 подтверждают, что литер в серии ровно три.
