Описание и применение
Транзисторы 2Т975Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в импульсном режиме в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1,4...1,6 ГГц в схеме с общей базой. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т975Б |
| Зарубежный аналог | AM1416-100 |
Внешний вид
Все исполнения серии: 2Т975
