Транзисторы 2П303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Технические характеристики
Обозначение
2П303Г
Зарубежный аналог
KK4381
Паспортные параметры 2П303Г
Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА
3,0…12
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В
3…7
Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 0,01 мА, В
не более 8,0
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В
3
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В
1,5
Ток утечки затвора при Uзи = 10 В и +25 °C, не более, нА
0,1
Ток утечки затвора при Uзи = 10 В и +125 °C, не более, мкА
1,0
Ток утечки затвора при Uзи = 30 В, не более, мкА
10
Входная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ
6,0
Проходная ёмкость при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 10 МГц, не более, пФ
2,0
Сопротивление изоляции канал-корпус, не менее, МОм
20
Предельное напряжение сток-исток, В
25
Предельное напряжение затвор-сток и затвор-исток, В
30
Предельный постоянный ток стока, мА
20
Предельный прямой ток затвора, мА
5,0
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре до +25 °C, мВт
200
Температура окружающей среды, °C
−60…+125
Чем 2П303Г отличается от других исполнений
Исполнение
Начальный ток стока при Uси = 10 В, Uзи = 0, мА
Крутизна характеристики при Uси = 10 В, Uзи = 0, f = 50…1500 Гц и +25 °C, мА/В
Напряжение отсечки при Uси = 10 В, Iс = 0,01 мА, В
Крутизна характеристики при −60 °C, не менее, мА/В
Крутизна характеристики при +125 °C, не менее, мА/В
Ток утечки затвора при Uзи = 10 В и +25 °C, не более, нА
А
0,5…2,5
1…4
0,5…3,0
1
0,5
1,0
Б
0,5…2,5
1…4
0,5…3,0
1
0,5
1,0
В
1,5…5,0
2…5
1,0…4,0
2
1
1,0
Г
3,0…12
3…7
не более 8,0
3
1,5
0,1
Д
3,0…9,0
не менее 2,6
не более 8,0
2,6
1,3
1,0
Е
5,0…20
не менее 4
не более 8,0
4
2
1,0
И
1,5…5,0
2…6
1,0…3,0
2
1
1,0
Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):
Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 829
Зайцев А. А. и др. Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности. — М.: КУбК, 1995, с. 322
