Описание и применение
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В. Транзисторы 2Т912А, 2Т912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод-датчик температуры. Тип прибора указываются на корпусе. Транзисторы 2Т912А-5, 2Т912Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 45 г, кристалла не более 0,01 г.
Технические характеристики
| Обозначение | 2Т912Б |
| Зарубежный аналог | 2N5535 |
Внешний вид
Все исполнения серии: КТ912
