2ТС622А1 — транзистор

Матрица из четырёх изолированных транзисторов

2ТС622А1 — транзисторная матрица из четырёх электрически изолированных кремниевых транзисторов. Матрицы с обычной изоляцией переходом — 217НТ3, с диэлектрической — 198НТ3.

«Электрически изолированные» — вот что здесь главное

У обычной матрицы транзисторы разделены обратно смещённым p-n переходом, и у этого есть жёсткое следствие: подложку надо посадить на самый отрицательный потенциал схемы, а напряжения на приборах ограничены пробоем изолирующего перехода.

Значит собрать на такой матрице схему, где коллекторы разнесены на десятки вольт, нельзя — изоляция откроется, и приборы начнут влиять друг на друга через подложку.

Изолированные транзисторы этого ограничения не имеют: каждый в своём «кармане», отделённом диэлектриком. Их можно включать в схему как четыре отдельных прибора, с любыми потенциалами.

Что при этом сохраняется от матрицы

Главное — согласование и общая температура. Приборы сделаны в одном цикле на одном кристалле, их параметры совпадают, и греются они вместе.

То есть получается редкое сочетание: свобода включения, как у россыпи, и согласованность, как у матрицы. Отсюда применение — ключевые схемы с разными потенциалами: коммутаторы, драйверы, мостовые схемы, где нижние и верхние плечи работают на разных уровнях.

⚠️ Плата — цена и меньшая плотность: диэлектрическая изоляция требует травления канавок и отдельных операций, и годных кристаллов выходит меньше.

Описание и применение

Транзисторные матрицы 2ТС622А1, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.

Технические характеристики

Внешний вид

Все исполнения серии: КТС622