КТ827А — транзистор

Наибольшее допустимое напряжение в серии

КТ827А — составной транзистор структуры n-p-n. Среди трёх исполнений серии эта буква держит самое высокое напряжение: 100 В по графе Uкб max и 100 В по Uкэ при сопротивлении 1 кОм в цепи базы. У КТ827Б соответствующие цифры равны 80 В, у КТ827В — 60 В.

Больше буква ни на что не влияет: прочие строки таблицы у всех трёх исполнений совпадают до последней цифры.

Усиление, ёмкости, частота

Коэффициент передачи тока нормирован диапазоном 750...18000 при токе коллектора 10 А. Широкий разброс — обычное свойство схемы Дарлингтона: перемножаются коэффициенты двух каскадов, а вместе с ними перемножается и технологический разброс. Схему поэтому строят так, чтобы режим задавала обратная связь, а не конкретное значение h21э.

Ёмкость коллекторного перехода — 400 пФ при 10 В, эмиттерного — 350 пФ при 5 В. Частотный потолок прибора — 4 МГц. Эмиттер-базовый переход выдерживает не больше 5 В — на фоне сотни вольт, разрешённых коллекторным графам, запас по этому входу выглядит скромно.

Ток, насыщение и тепловой режим

По току: 20 А предельно и 40 А по графе насыщения, при токе базы не выше 0,5 А. Напряжение насыщения — 2,0 В при I_к = 10 А и I_б = 0,04 А.

Последняя цифра для расчёта ключевая: на десяти амперах открытый прибор рассеивает мощность, отвечающую двум вольтам падения, и радиатор считают от неё. Допустимая мощность в графе Pк / Pт записана как 125 Вт, тепловое сопротивление переход-корпус — 1,4 °C/Вт.

Запас по напряжению и замена внутри ряда

Раз буква трогает только напряжение, замена внутри серии сводится к одному числу. Прибор с большим значением в графах Uкб max и Uкэ / R встаёт на место младшего без пересчёта остальных режимов — ток, мощность и тепловое сопротивление у них общие.

Обратная подстановка требует осторожности: нужно проверить, что рабочее напряжение схемы укладывается в 80 или 60 вольт соответственно. КТ827А в этом ряду — верхняя точка, выше по напряжению внутри серии идти уже некуда.

Соседние исполнения: КТ827Б и КТ827В. Общая таблица — на странице серии КТ827.

Технические характеристики

Обозначение	КТ827А
Структура	n-p-n
h_21э: B1-B2 / I_к	750-18000/10
f_гр, МГц	4
C_к / U_к, пФ/В	400/10
C_э / U_эб, пФ/В	350/5
U_кэ нас / (I_к/I_б)	2.0(10/0.04)
U_кб max, В	100
U_кэ / R	100/1к
U_эб max, В	5
I_к max / I_к нас	20/40
I_б max, А	0.5
P_к / P_т, Вт	/125
R_т п-к, °C/Вт	1.4

Исполнения серии КТ827

Исполнение	U_кб max, В	U_кэ / R
А	100	100/1к
Б	80	80/1к
В	60	60/1к

Паспортные параметры КТ827А

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rбэ = 1 кОм) и коллектор-база, В	100
Статический коэффициент передачи тока при Uкэ = 3 В, Iк = 10 А и +25 °C	750…18 000
Статический коэффициент передачи тока при Uкэ = 3 В и Iк = 20 А	100…3500
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, В	100…140
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, В	1…2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 А, Iб = 200 мА, В	1,8…3
Входное напряжение база-эмиттер при Iк = 10 А, Uкэ = 3 В, В	1,6…2,8
Время включения при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс	0,3…1
Время выключения при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс	3…6
Время рассасывания при Iк = 10 А, Iб = 40 мА, мкс	2…4,5
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 3 В, Iк = 10 А, f = 10 МГц, не менее	0,4
Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, пФ	200…400
Ёмкость эмиттерного перехода при Uбэ = 5 В, пФ	160…350
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ = 1 кОм и +25 °C, не более, мА	3
Обратный ток эмиттера при Uбэ = 5 В, не более, мА	2
Предельное постоянное напряжение база-эмиттер, В	5
Предельный постоянный ток коллектора, А	20
Предельный постоянный ток базы, А	0,5
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при температуре корпуса от −60 до +25 °C, Вт	125
Тепловое сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 12,5 А, °C/Вт	1,4
Температура перехода, не более, °C	+200
Температура окружающей среды, °C	−60…+100
Масса транзистора, не более, г	20

Чем КТ827А отличается от других исполнений

Параметр	А	Б	В
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rбэ = 1 кОм) и коллектор-база, В	100	80	60
Граничное напряжение при Iк = 100 мА, В	100…140	80…100	60…80

Источники параметров (значения сверены между изданиями; там, где справочники расходятся, расхождение показано отдельным блоком ниже):

Аронов В. Л., Баюков А. В., Зайцев А. А. и др.; под ред. Горюнова Н. Н. Полупроводниковые приборы: транзисторы. — М.: Энергоатомиздат, 1985, с. 505-506

Внешний вид

КТ827 — все исполнения серии