Описание и применение
Транзисторы 3П602Б-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 выпускаются на металлокерамическом кристаллодержателе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. Транзисторы 3П602Б-5, 3П602Д-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах. Тип прибора указывается в этикетке.
Технические характеристики
| Обозначение | 3П602Б-2 |
| Зарубежный аналог | NEZ1112 |
Внешний вид
