3П320 — арсенид-галлиевый (GaAs) полевой транзистор с затвором Шоттки, предназначенный для работы в СВЧ-диапазоне. В советской системе обозначений первая цифра «3» указывает на материал — арсенид галлия (GaAs), буква «П» подтверждает класс — полевой транзистор. Приборы данной серии выпускались в двух вариантах исполнения: 3П320А-2 и 3П320Б-2 — оба с N-каналом и управляющим переходом типа барьера Шоттки (металл-полупроводник). Это не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металла с GaAs, что даёт существенно меньший ток утечки затвора и более высокое быстродействие по сравнению с кремниевыми аналогами.
Главное достоинство GaAs-основы — подвижность электронов в 5-6 раз выше, чем у кремния, что позволяет таким транзисторам уверенно работать на частотах от единиц до десятков гигагерц. На это же указывают крайне малые межэлектродные ёмкости прибора: входная 0,15 пФ, проходная 0,18 пФ — значения, характерные для СВЧ-приборов, где паразитные ёмкости напрямую ограничивают рабочую полосу. Крутизна характеристики 5-16 мА/В при напряжении сток-исток 10 В обеспечивает достаточное усиление при малом уровне входного сигнала, что делает транзистор пригодным прежде всего для малошумящих усилительных каскадов в приёмных трактах СВЧ-аппаратуры.
По своим предельным режимам 3П320 относится к маломощным приборам: рассеиваемая мощность 80 мВт, максимальное напряжение сток-исток 4 В, затвор-исток 5 В. Такие параметры типичны для входных малошумящих каскадов, а не для усилителей мощности. Транзистор применялся в приёмных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов: малошумящих усилителях, преобразователях частоты, гетеродинных генераторах, входных каскадах радиолокационных и телекоммуникационных систем. Корпус типа ptp21 — металлостеклянный с жёсткими выводами, стандартный для советских СВЧ-транзисторов, рассчитанный на монтаж в микрополосковые и коаксиальные схемы.
По функциональному назначению и структуре 3П320 соответствует западному классу GaAs MESFET (Metal-Semiconductor FET) — приборам, которые в мировой практике 1970-1990-х годов выпускались такими производителями, как Avantek, NEC, Fujitsu, HP под обозначениями серий ATF, NE, MGF. Прямых стандартных аналогов в открытых справочниках не зафиксировано, однако по параметрам крутизны и ёмкостям прибор близок к маломощным малошумящим GaAs FET с рабочим диапазоном до нескольких гигагерц. В СССР разработка GaAs-транзисторов велась преимущественно в оборонном секторе, поэтому серия 3П в гражданской радиолюбительской практике встречалась редко и ценилась именно как доступный СВЧ-прибор с низким уровнем шума.
3П320 — полевой транзистор. Варианты: 3П320А-2, 3П320Б-2. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
