2Т876 — мощный кремниевый p-n-p транзистор низкочастотного класса, предназначенный для работы в усилительных и ключевых каскадах с токами до 10 А и напряжениями до 90 В. Приставка «2Т» в советской номенклатуре означает военное исполнение — расширенный диапазон температур, повышенная надёжность и обязательный приёмочный контроль; гражданский аналог выпускался под обозначением КТ876. Четыре варианта (А, Б, В, Г) отличаются прежде всего допустимым напряжением коллектор-база: от 50 В у варианта В до 90 В у вариантов А и Г, что позволяло конструктору выбрать транзистор под конкретное питающее напряжение схемы без переплаты за избыточный запас.
Ключевая особенность прибора — сочетание высокого тока коллектора (10 А в длительном режиме, 15 А в импульсе) с относительно скромным тепловым сопротивлением переход-корпус 2,5 °C/Вт. Рассеиваемая мощность 50 Вт достижима только с хорошим теплоотводом — транзистор монтируется в металлостеклянном корпусе типа КТ9 (пластина с резьбовым шпилькой), рассчитанном именно под такой способ крепления. Коэффициент усиления по току h21э лежит в диапазоне 80-250 (у варианта Г — 40-160), что характерно для силовых транзисторов: управлять током базы нужно уверенно, зато схема предсказуема в насыщении. Граничная частота 20 МГц и большая ёмкость коллекторного перехода (1300 пФ) однозначно указывают на низкочастотное применение — звуковые усилители, импульсные источники питания с рабочими частотами до единиц килогерц, регуляторы тока и напряжения.
В советской и российской аппаратуре 2Т876 (КТ876) применялся в оконечных каскадах усилителей мощности звуковой частоты, в схемах управления двигателями постоянного тока, в стабилизаторах питания с линейным регулятором, где требовался мощный проходной p-n-p элемент. Военное исполнение 2Т876 встречалось в аппаратуре связи и специальном оборудовании, где требования к стабильности параметров в диапазоне температур были строже коммерческих. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер всего 0,5 В при токе 5 А делало транзистор привлекательным для ключевых схем с малыми потерями в открытом состоянии.
Зарубежным функциональным аналогом 2Т876 является MJE2955 (и его вариант MJE2955T в корпусе TO-220) — мощный p-n-p транзистор американского происхождения с предельным напряжением коллектор-эмиттер 60 В (коллектор-база — 70 В) и током 10 А, который также широко использовался в двухтактных усилителях класса B в паре с NPN-транзистором MJE3055. Эта комплементарная пара MJE2955/MJE3055 стала практически стандартом де-факто для силовых аудиокаскадов 1970-1990-х годов, и наличие советского прямого аналога говорит о том, что КТ876/2Т876 занимал ту же нишу в отечественной схемотехнике.
2Т876 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: 2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В, 2Т876Г. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
