2Т875 — мощный кремниевый биполярный n-p-n транзистор среднечастотного диапазона, предназначенный для работы в линейных усилительных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Приставка «2Т» в обозначении указывает на военную приёмку (5-й ОТК): по сравнению с гражданским аналогом КТ875 прибор проходит расширенный контроль параметров и рассчитан на эксплуатацию в более жёстких климатических и механических условиях. Выпускался заводом «Кремний» в металлостеклянном корпусе КТ-9 (международный аналог TO-3) — массивном теплоотводном корпусе с двумя жёсткими выводами и фланцем для крепления к радиатору.
Ключевая особенность транзистора — сочетание высокого напряжения пробоя (Uкб до 90 В у вариантов А и Г) с большим током коллектора (до 10 А длительно, до 15 А в импульсе) при весьма умеренной граничной частоте 20 МГц. Рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода — 3 Вт, но на хорошем радиаторе прибор держит до 50 Вт (тепловое сопротивление переход-корпус всего 2,5 °C/Вт). Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не превышает 0,5 В при токе 5 А — отличный показатель для ключевых применений: потери в открытом состоянии минимальны. Варианты А и Г отличаются по допустимому напряжению Uкб (90 В против пониженного у Б/В — 70 и 50 В соответственно), а вариант Г имеет несколько уменьшенный диапазон коэффициента передачи тока h21э (40-160 вместо 80-250 у А/Б/В) — что типично для более мощных или скоростных подвариантов с расширенной технологической выборкой.
По классу прибор относится к низкочастотным/среднечастотным мощным транзисторам: граничная частота 20 МГц достаточна для усиления звукового диапазона, импульсных источников питания и регуляторов мощности в звуковом и инфразвуковом диапазоне, но не для ВЧ-генераторов. Типичные области применения — оконечные каскады усилителей мощности звуковой частоты, силовые ключи в импульсных источниках питания, схемы управления нагрузками (электродвигатели, реле, нагреватели), а также драйверы в составе вторичных источников питания аппаратуры специального назначения. Большая ёмкость перехода коллектор-база (1200 пФ) характерна для мощных эпитаксиально-планарных структур и не является ограничением в НЧ-применениях, на которые прибор и ориентирован.
В качестве зарубежного функционального аналога справочники указывают японский 2SD1940 (NPN, TO-220ML, 85 В / 6 А, применение — аудиоусилители мощностью 25-30 Вт). Схожие параметры имеют также транзисторы серий BDW и TIP в корпусах TO-3/TO-218. Следует учитывать, что прямой взаимозамены по всем параметрам может не существовать: 2Т875 рассчитан на бо́льший ток (10 А против 6 А у 2SD1940) и более высокое напряжение у старших вариантов, что объясняется его ориентацией на профессиональную аппаратуру с повышенным запасом надёжности.
2Т875 — биполярный транзистор структуры n-p-n. Варианты: 2Т875А, 2Т875Б, 2Т875В, 2Т875Г. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
