Реклама на сайте DatasheetsDatasheets

KAZUS.RUN - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Книги и журналы
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Онлайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Схемы и проекты
Принципиальные схемы
  Программы
Каталог сайтов
Калькуляторы
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту


2Т860 — биполярный транзистор


15 000 000 даташитовпоиск по параметрам · аналоги · заводские PDFНайти даташит →

Описание и применение

2Т860 — кремниевый биполярный транзистор структуры p-n-p средней мощности, выпускавшийся в нескольких вариантах исполнения (А, Б, В), которые различаются допустимым напряжением коллектор-база и диапазоном статического коэффициента передачи тока. Приставка «2Т» означает военную приёмку — усиленный контроль при производстве; гражданский аналог маркируется как КТ860. Прибор изготавливался в пластмассовом корпусе (корпус 85, отечественное обозначение КТ-27), соответствующем зарубежному TO-126: три жёстких вывода снизу, пластиковый корпус с монтажным отверстием для крепления на теплоотвод. Производителем транзисторов этой серии являлось предприятие «Кремний» (Брянск) — один из ключевых советских изготовителей дискретных полупроводников.

По классу прибор относится к низкочастотным усилительным транзисторам средней мощности. Граничная частота коэффициента передачи тока составляет 10 МГц — достаточно для работы в звуковом диапазоне и низких радиочастотах, но не для ВЧ-генераторов. Рассеиваемая мощность на корпусе — 1 Вт; при установке на теплоотвод допускается до 10 Вт, что существенно расширяет возможности в выходных каскадах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не превышает 0,35 В при токе 1 А — хороший показатель для ключевого режима. Максимальный ток коллектора 2 А (импульсный 4 А) в сочетании с допустимым напряжением до 90 В (вариант 2Т860А) делают транзистор пригодным как для линейных каскадов, так и для коммутации индуктивных нагрузок. Три варианта — А/Б/В — охватывают диапазон усиления от 40 до 300, при этом с ростом h21э максимальное рабочее напряжение закономерно снижается: такова типовая компромиссная зависимость в кремниевых эпитаксиально-планарных структурах.

Типичная область применения — выходные и предвыходные каскады усилителей мощности звуковой частоты (УМЗЧ), стабилизаторы напряжения с регулирующим транзистором на выходе, ключевые каскады импульсных источников питания. Структура p-n-p в паре с n-p-n транзистором КТ861 (идентичные параметры, противоположная структура) образует комплементарную пару для двухтактных схем — стандартное решение в выходных каскадах УМЗЧ советской аппаратуры, где оба плеча работают без трансформатора. Встречался в промышленной, бытовой и специальной аппаратуре производства СССР. По совокупности параметров прибор находится в одной нише с зарубежными транзисторами BD136 / BD140 (Philips, ST) структуры p-n-p в корпусе TO-126, хотя прямое механическое и электрическое замещение требует проверки по конкретному варианту (особенно по напряжению и ёмкостям переходов).

Высокая ёмкость эмиттерного перехода — около 1000 пФ — ограничивает применение в высокочастотных импульсных топологиях и делает транзистор малопригодным для работы на частотах выше единиц мегагерц. Зато в НЧ-усилителях и схемах с медленными переключениями это не критично. Вариант 2Т860В с коэффициентом усиления до 300 при сниженном напряжении (до 40 В) удобен в маломощных цепях управления и предварительных каскадах. Прибор относится к поколению советской компонентной базы 1970-80-х годов, ориентированной на надёжность и воспроизводимость в условиях жёсткого военного контроля качества — что и объясняет маркировку «2Т».

2Т860 — биполярный транзистор структуры p-n-p. Варианты: 2Т860А, 2Т860Б, 2Т860В. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.

Корпус и цоколёвка

Цоколёвка
Цоколёвка 2Т860

Электрические параметры

Параметр2Т860А2Т860Б2Т860В
Структураp-n-pp-n-pp-n-p
h21э: B1-B2 / Iк40-160/150-200/180-300/1
fгр, МГц101010
Cк / Uк, пФ/В150/5150/5150/5
Cэ / Uэб, пФ/В1000/51000/51000/5
Uкэ нас / (Iк/Iб)0.35(1/0.2)0.35(1/0.2)0.35(1/0.2)
Uкб max, В907040
Uкэ / R90/10070/10040/100
Uэб max, В555
Iк max / Iк нас2/42/42/4
Iб max, А111
Pк / Pт, Вт1/101/101/10

Форум радиолюбителейтысячи решённых схем, вопросов и советов — спроси и найдиНа форум →


Реклама на сайте

KAZUS.RUN — 15 000 000 даташитов, поиск по электронным компонентам


Справочник
Пассивные
Полупроводники
Транзисторы 2797
Электромеханика
Даташиты

Другие из раздела «Транзисторы»


© 2003—2026 «KAZUS.RUN - Электронный портал»