2Т506 — высоковольтный кремниевый планарный транзистор структуры n-p-n переключательного типа, разработанный для применения в аппаратуре специального и военного назначения. Именно приставка «2Т» (в отличие от гражданского «КТ506») указывает на военную приёмку — жёсткий входной контроль, расширенный диапазон температур и повышенную надёжность. Главная особенность этого прибора — рекордно высокое напряжение коллектор-база: до 800 В у варианта А и 600 В у варианта Б. Для биполярного транзистора с рабочим током до 2 А (импульсным до 5 А) такой вольтаж — редкость: большинство «мощных» транзисторов того времени укладывались в 100-200 В. Именно это напряжение и является главным достоинством прибора, вокруг которого строится всё его применение.
По совокупности параметров 2Т506 относится к низкочастотным переключательным транзисторам средней мощности. Граничная частота 10 МГц достаточна для работы в импульсных схемах с временами переключения в десятки наносекунд, но не для радиочастотных применений. Рассеиваемая мощность — 0,8 Вт без теплоотвода и 10 Вт с радиатором — при таком напряжении пробоя делает транзистор практически незаменимым там, где нужно управлять высоковольтной нагрузкой относительно небольшим током. Большая ёмкость коллекторного перехода (1100 пФ) — следствие планарной технологии при высоковольтном исполнении — ограничивает быстродействие, зато обеспечивает устойчивость в линейных схемах. Коэффициент передачи тока h21э в диапазоне 30-150 типичен для ключевого прибора: усилением здесь не жертвуют, но и рекордов не ставят.
Основная сфера применения — высоковольтные импульсные модуляторы, преобразователи напряжения и линейные стабилизаторы для питания радиолокационных, измерительных и связных комплексов. В модуляторах транзистор работает как высоковольтный ключ: открывается на время импульса, выдерживает напряжение питания в паузе. В линейных стабилизаторах он выступает регулирующим элементом в цепи с выходным напряжением в сотни вольт — место, где низковольтные транзисторы просто не выживают. Существовал и вариант 2Т506А-5 — кристалл без корпуса (chip), предназначенный для монтажа в гибридные интегральные схемы: это говорит о том, что прибор встраивался в высоконадёжные субблоки военной и авиационной электроники.
Среди зарубежных аналогов для варианта А называют 2N5013, BUX84, для варианта Б — STIP605, 2N5011. Все они относятся к одному классу: высоковольтные NPN-транзисторы для импульсных и линейных применений. Корпус — металлический с гибкими выводами и стеклянными изоляторами (тип КТ-27 / ptp85 по отечественной классификации), рассчитанный на пайку и механическую нагрузку в условиях вибрации. В отличие от массовых КТ315 или КТ817, 2Т506 — это узкоспециализированный компонент: в бытовой технике его не встретишь, зато он стабильно живёт в силовых цепях профессиональной аппаратуры, где напряжения 400-800 В — норма, а отказ недопустим.
2Т506 — биполярный транзистор структуры n-p-n. Варианты: 2Т506А, 2Т506Б. Ниже — справочные электрические параметры и предельные режимы по вариантам исполнения.
