2Т506А1 — транзистор

Мощный переключательный n-p-n, планарная структура

2Т506А1 — кремниевый планарный n-p-n транзистор для переключающих устройств, импульсных модуляторов, преобразователей и линейных стабилизаторов. Соседнее исполнение — 2Т506Б1; базовое — 2Т506.

В описаниях транзисторов встречаются три близких слова: «планарный», «эпитаксиально-планарный» и «мезапланарный». Это разные технологии, и разница между ними видна в параметрах.

Три технологии и что каждая даёт

Планарная. Все переходы формируются диффузией с одной стороны пластины, поверхность защищена окислом. Переход нигде не выходит наружу — отсюда малые обратные токи и хорошая стабильность. Технология базовая, на ней сделано большинство приборов.

Эпитаксиально-планарная. То же самое, но коллектор состоит из двух слоёв: тонкого высокоомного эпитаксиального сверху и низкоомной подложки снизу. Высокоомный слой держит напряжение, подложка проводит ток.

Выигрыш: высокое напряжение при малом сопротивлении коллектора. Без эпитаксии эти требования противоречат друг другу — толстая высокоомная область нужна для напряжения и мешает проводить.

Мезапланарная. Края кристалла вытравлены с образованием площадки с откосами. Поле на краю перехода выравнивается, предельное напряжение растёт. Применяется у мощных и высоковольтных приборов.

Что из этого следует при выборе

Эпитаксиальный прибор при прочих равных имеет меньшее напряжение насыщения — то есть меньше греется в ключевом режиме. Слово в описании стоит читать как указание на это.

Мезаструктура означает высоковольтный прибор и, как правило, чувствительность к нарушению герметичности корпуса: край перехода выходит на поверхность и защищён только покрытием.

Просто планарный без уточнений — обычно прибор умеренного напряжения или более ранней разработки.

⚠️ Но полагаться на слово вместо параметров нельзя. Технология объясняет, почему у прибора такие числа, а не заменяет их. Читать её стоит как подсказку о характере прибора — и проверять таблицей.

Описание и применение

Транзисторы 2Т506А1 кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.

Технические характеристики

Внешний вид

Все исполнения серии: 2Т506