Компания Alpha and Omega Semiconductor представила новую платформу альфаMOS E2 600V Super Junction MOSFET, предназначенную для высокоэффективных приложений большой мощности. Первым продуктом серии стал AOTL037V60DE2, который обеспечивает высокую надежность и производительность в системах электропитания и солнечных инверторах.
Alpha and Omega Semiconductor Limited представила мощную платформу альфаMOS E2 600V Super Junction MOSFET. Первым высоковольтным изделием из этой серии стал AOTL037V60DE2. Полевой транзистор рассчитан на напряжение 600 В и предназначен для удовлетворения растущего спроса на высокую эффективность и большую плотность мощности в различных приложениях.
Область применения
Устройство может использоваться в следующих системах:
Серверные и вычислительные установки
Телекоммуникационные выпрямители
Солнечные инверторы
Электроприводы и моторные системы
Промышленные силовые системы
Основные требования к современным системам
При проектировании высокомощных импульсных источников питания и инверторов необходимо учитывать четыре ключевых требования:
Повышение эффективности преобразования энергии
Увеличение плотности мощности
Снижение стоимости системы
Обеспечение безотказности и надежности
В ответ на эти задачи высоковольтные транзисторы с супер-переходом стали предпочтительным решением для критических топологий, включая медленное плечо totem-pole PFC, резонансные преобразователи LLC, PSFB и циклопреобразователи.
Конструктивные особенности и защита
Платформа альфаMOS E2 разработана с использованием встроенного диода переходного слоя, обладающего повышенной надежностью при жестком коммутировании. Диод способен надежно работать при обратном восстановлении в аварийных ситуациях, таких как короткие замыкания или переходные процессы при включении. Транзистор AOTL037V60DE2 изготовлен в корпусе TOLL и имеет максимальное сопротивление открытого канала RDS(ON) = 37 мОм.
Результаты испытаний
По результатам тестирования, проведенного группой применения компании, тело диода транзистора продемонстрировало способность выдерживать di/dt = 1300 А/мкс при определенных условиях прямого тока (IF) при температуре перехода 150 °C. Кроме того, испытания подтвердили, что AOTL037V60DE2 обладает:
Превосходной устойчивостью к незажатому индуктивному переключению (UIS)
Увеличенным временем выдержки при коротком замыкании (SCWT) в сравнении с конкурирующими MOSFET
Повышенная устойчивость компонента обеспечивает большую надежность системы в целом, гарантируя стабильную работу даже при аномальных режимах эксплуатации.
Технические возможности
Ключевые характеристики платформы:
Оптимизирована для мягкого коммутирования с исключительно низкими потерями при переключении
Прочный диод переходного слоя с пониженным обратным зарядом (Qrr) для высоконагруженных приложений
Повышенная устойчивость: сильная UIS, способность к ограничению бросков тока и расширенная область безопасной работы (SOA)
Исключение самовключения при динамических воздействиях
Пригодность для totem pole PFC, LLC, PSFB и CrCM H-4/циклоинверторных приложений
Назначение и задачи
Данная платформа разработана для удовлетворения потребностей конструкторов устройств традиционного преобразования переменного тока в постоянный и обратно, а также для DC-DC преобразователей. Для них достижение большой плотности мощности и высокой эффективности остается критически важной задачей. Транзисторы альфаMOS E2 позволяют разработчикам систем электропитания, солнечных инверторов и DC-DC преобразователей справиться с современными требованиями к эффективности, надежности и экономичности.
