Тепловые процессы в активных областях полупроводниковых приборов.

[ForcePoint]

Не думал, что кристалл прогревается так быстро...
Собрался померять параметры некоторых транзисторов для сверки со SPICE-моделями и надеялся на рекомендации по мощным транзисторам об измерениях в импульсном режиме (импульс - до 300 мкс, заполнение импульсов - до 2 %). А оказалось, что активная область транзистора значимо прогревается уже за 75 мкс.

Проверял КР198НТ1Б, КТ3102Б и КТ815Б. При каждом Vbe - проводил 4 измерения по 75 мкс каждое, потом - построил графики для первых, вторых и т.д. измерений. Первое, "непрогретое", - показывает меньший ток эмиттера. Видна также теплопередача от кристалла на "тело". С последними расходится не только первое измерение, но и второе - немного. Особенно заметно на графиках КТ815 с "железным задом".

И это - не установление данных в аналоговой обвязке стенда. Его время я проверил отдельно, на 1% резисторе. Переходные процессы заканчиваются за 6 мкс после изменения входного напряжения, первая выборка тока производится с запасом - через 10 мкс.

P.S. Хотя величина "разбега" Vbe выглядит великоватой. Надо перепроверить.

[VladimirIvan]

В 70х вышел капитальный труд по тепловым процессам в полупроводниковых переходах и тепловых пробоях.

[mike-y-k]

Если устремиться в поиски, а еще пригласить уважаемых Инн и laser532, то вполне можно найти достаточно фундаментальной и практической информации по теме.
Физика полупроводников в эту сторону весьма хорошо развита…

[ampy]

Ну вот если (пессимистично) принять толщину области пространственного заряда 1 нм, ширину этой области взять 1х1 мм, теплоёмкость кремния взять 800 Дж/кг/К, плотность 2330 кг/м3, мощность 6 мВт, то скомбинировав эти величины получаем скорость нагрева 3218884 К/сек. Довольно быстро. Что там твоё Солнце. Наверное ОПЗ будет утолщаться со временем, по мере натекания носителей и на более длинных импульсах скорость будет падать. Ну и тепло будет расходиться по кристаллу.

[Falconist]

На "Паяльнике" я недавно выложил цикл статей, сбитых в одну под названием "Тепловые искажения в усилителях Hi-Fi", опубликованных в журналах "Радиолюбитель" №№2-5 за 1999 г. (перевод статьи S.GYULA из журнала "Râdiôtechnika Évkônyve" за 1998 год). Изложенные в ней данные IMHO полностью согласуются с мнением топикстартера.

К сожалению, аудиофилия пользователей того форума, тщательно скрываемая под видимостью "объективности оценок", завела обсуждение в болото субъективизма.

Ссылка на тему: https://forum.cxem.net/index.php?/to...елях-hifi/

Сама статья - во вложении.

[Алексей_ПП]

Про аудиофилию - брехня.
Про то, что разгромили в пух и прах - правда.

Опыты ForcePoint очередной раз объясняют причину возникновения тепловых искажений в безграмотно построенных усилителях и практическое отсутствие ТИ в усилителях с глубокой ООС.

[bordodynov]

Алексей_ПП,
это всего лишь ваше мнение, а где опыты, доказывающие это. С правильной методикой.
Я считаю, что тепловые искажения могут проявляться на низких частотах, а не на излюбленной частоте 20 кГц. Попросту нужны испытания на 20 Гц. Я не могу это сделать т.к. не изготавливаю УЗЧ.

[mike-y-k]

Алексей_ПП, а факты где?
Сразу в двух темах и только гневные слова.
Перекос бывает не только в аудиофильство.

[Алексей_ПП]

bordodynov
Как считаете, Александр Петрович, можно ли оценить порядок величины тепловых искажений таким образом:
1) получаю минимальную и максимальную мощность в течение периода сигнала для каждого транзистора при максимальном входном сигнале.

2) вычисляю минимальную и максимальную температуру кристалла.

3) поочерёдно, для каждого транзистора провожу симуляцию при этих двух температурах без сигнала на входе
и получаю в чистом виде тепловые искажения каждого транзистора.

Годится?

[bordodynov]

Алексей_ПП,
нет, не годится - есть тепловая инерционность. А вообще лучше получить реальный спектр на частотах 20, 45 и 90 Гц. Практика - критерий истины.