Сообщение от locik_1
|
надо еще учесть изменение от температуры
параметров Vbe транзистора
|
Ну, нет проблем. Температурный коэффициент Vbe известен, составляет 2мВ/град. По сравнению с входным напряжением - пренебрежимо мал.
Сообщение от locik_1
|
|
напряжения стабилизации стабилитрона
|
Стабилитрон тут ваще ни при чём. Схема должна переключаться до того как стабилитрон выйдет на режим стабилизации.
Кстати, о стабилитроне. По моему глубокому убеждению стабилитрон тут совсем не нужен.
Давайте грубо прикинем. Сопротивление в коллекторе 10ком, пусть h21e = 100, и пусть питание схемы Uпит = 5В. Тогда для насыщения транзистора - переключения схемы при входном напряжении всего 5В в базу нужен резистор 10ком * 100 = 1Мом. И всё.
С мегаомом в базе схема будут переключаться от 5В и выше, пусть до 300В. Ток базы при 300В будет всего 300мкА, что гораздо меньше максимально допустимого тока базы. То есть такая схема будет работать в широком диапазоне входных напряжений. И никакой стабилитрон не нужен. И мощность этого 1Мом резистора достаточна всего 100мВт.
Единстенное, что осталось - защитить база-эмиттер переход от высокого обратного напряжения. Поэтому вместо стабилитрона ставим любой диод, катодом к резисторам, анодом на землю. Увеличиваем все базовые резисторы ( 125мВт допустимая мощность ) в 10 раз, кондюки уменьшаем соответственно в 10 раз. И всё будет прекрасно работать.